详情

原文传递使用牺牲硅板形成宽沟槽的方法

专利名称：	使用牺牲硅板形成宽沟槽的方法
摘要：	一种形成封装的宽沟槽的方法包括提供氧化绝缘体上硅(SOI)晶片，通过在SOI晶片的硅层内刻蚀第一沟槽限定第一牺牲硅板的第一侧，通过在硅层内刻蚀第二沟槽限定第一牺牲硅板的第二侧，在第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分，在第二沟槽内形成第二牺牲氧化部分，在第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分上方形成多晶硅层以及刻蚀第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分。
专利类型：	发明专利
申请人：	罗伯特·博世有限公司
发明人：	Ｇ·奥布赖恩
专利状态：	有效
申请日期：	2012-11-09T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201280060809.2
公开号：	CN104144838A
分类号：	B61C1/00(2006.01)I
申请人地址：	德国斯图加特
主权项：	一种形成封装宽沟槽的方法，所述方法包括：提供氧化绝缘体上硅(SOI)晶片；通过在SOI晶片的硅层内刻蚀第一沟槽限定第一牺牲硅板的第一侧；通过在硅层内刻蚀第二沟槽限定第一牺牲硅板的第二侧；在第一沟槽内形成第一牺牲氧化部分；在第二沟槽内形成第二牺牲氧化部分；在第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分上方形成多晶硅层；以及刻蚀第一牺牲氧化部分和第二牺牲氧化部分。
所属类别：	发明专利