原文传递
提升ITO层空穴注入效率的方法和显示器件的阳极结构
| 专利名称： | 提升ITO层空穴注入效率的方法和显示器件的阳极结构 |
| 摘要： | 本发明提供一种提升ITO层空穴注入效率的方法和显示器件的阳极结构，所述方法应用于显示器件的阳极制作工艺中，包括：提供一预设有ITO区域的半导体结构；在位于所述ITO区域的半导体结构的上表面制备一ITO层；对所述ITO层进行预热后，于该ITO层的表面制备氧化石墨烯薄膜。所述阳极结构包括一具有ITO层的衬底结构，且该ITO层的上表面覆盖有一层氧化石墨烯。本发明方法通过在普通的ITO层上制备一层氧化石墨烯，形成新的阳极结构，使得ITO层的功函数增加，提升了空穴的注入效率，降低了驱动电压，进而能够增加显示器件的稳定性和使用寿命。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 发明人： | 孙一歌;康嘉滨;鲁海生;胡友元 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2014-02-27T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201410070215.0 |
| 公开号： | CN103824975A |
| 代理机构： | 上海申新律师事务所 31272 |
| 代理人： | 吴俊 |
| 分类号： | H01L51/56(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201506 上海市金山区工业区大道100号1幢二楼208室 |
| 主权项： | 一种提升ITO空穴注入效率的方法，应用于显示器件的阳极制作工艺中，所述方法包括：提供一预设有ITO区域的半导体结构；在位于所述ITO区域的半导体结构的上表面制备一ITO层；对所述ITO层进行预热；于该ITO层的表面制备氧化石墨烯薄膜。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
