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有机电激发光二极体储存电容结构及其制备方法
| 专利名称： | 有机电激发光二极体储存电容结构及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种有机电激发光二极体储存电容结构及其制备方法，包括在玻璃基板上依次设置的多晶硅层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层、第二金属层以及第三绝缘层，第一金属层与第二金属层相互平行形成第一电容。在第三绝缘层上设有第三金属层，第三金属层与第二金属层相互平行形成第二电容，第二绝缘层与第三绝缘层对应第一金属层与第三金属层位置形成有接触洞，第二金属层形成有用于避开接触洞的避让区域，第三金属层与第一金属层通过接触洞接触导通，从而形成第一电容与第二电容的并联连接。通过在第一电容上增加一第三金属层，使其与第二金属层构成第二电容，通过接触洞使得第二电容与第一电容并联，即减小电容面积，还可维持电容容量。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 发明人： | 肖丽娜;王焕楠;冯佑雄 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2013-11-22T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201310597790.1 |
| 公开号： | CN103730450A |
| 代理机构： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 |
| 代理人： | 曾耀先 |
| 分类号： | H01L23/64(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201508 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 |
| 主权项： | 一种有机电激发光二极体储存电容结构，包括在玻璃基板上依次设置的一多晶硅层、一第一绝缘层、一第一金属层、一第二绝缘层、一第二金属层以及一第三绝缘层，所述第一金属层与所述第二金属层相互平行形成一第一电容，其特征在于：在所述第三绝缘层上设有一第三金属层，所述第三金属层与所述第二金属层相互平行形成一第二电容，所述第二绝缘层与所述第三绝缘层对应所述第一金属层与所述第三金属层位置形成有接触洞，所述第二金属层形成有用于避开所述接触洞的避让区域，所述第三金属层与所述第一金属层通过所述接触洞接触导通，从而形成所述第一电容与所述第二电容的并联连接。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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