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一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法
| 专利名称： | 一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法，包括选用初始单晶碳化硅晶圆与衬底材料；通过注氢智能剥离方法在初始单晶碳化硅晶圆中注入离子形成一层气泡层；将初始单晶碳化硅晶圆与衬底材料进行表面处理后，清洗表面并旋转甩干，之后对初始单晶碳化硅晶圆与衬底材料进行等离子辅助键合；将键合形成的材料进行高温退火，初始单晶碳化硅晶圆的气泡层会聚集并使初始单晶碳化硅晶圆发生蹦离，得到单晶碳化硅复合衬底材料。本发明提出的氮化镓基半导体材料的制备方法，既可以使氮化镓基材料的外延获得高质量的碳化硅单晶衬底，又可以有效降低衬底材料的成本。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 发明人： | 亢勇;陈邦明 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2012-12-25T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201210571719.1 |
| 公开号： | CN103021814A |
| 代理机构： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 |
| 代理人： | 董红曼 |
| 分类号： | H01L21/02(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201506 上海市金山区天工路285弄10号楼东单元 |
| 主权项： | 一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法，其特征在于，包括：步骤一：选用初始单晶碳化硅晶圆(1)与衬底材料(2)；步骤二：通过注氢智能剥离方法在所述初始单晶碳化硅晶圆(1)中注入离子形成一层气泡层；步骤三：将所述初始单晶碳化硅晶圆(1)与所述衬底材料(2)进行表面处理后，清洗表面并旋转甩干，之后对所述初始单晶碳化硅晶圆(1)与衬底材料(2)进行等离子辅助键合；步骤四：将所述键合形成的材料进行高温退火，所述初始单晶碳化硅晶圆(1)的气泡层会聚集并使初始单晶碳化硅晶圆(1)发生蹦离，得到所述单晶碳化硅复合衬底材料(3)。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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