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检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法及检测系统
| 专利名称： | 检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法及检测系统 |
| 摘要： | 本发明公开了一种检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法， 所述方法包括以下步骤：利用圆偏振光辐照待测的半导体晶体或外延 薄膜材料，并检测所产生的无偏压电流的电流方向；根据所述无偏压 电流的电流方向，判断所述待测的半导体晶体或外延薄膜材料的极 性。另外本发明还公开了一种半导体晶体或外延薄膜材料极性的检测 系统。本发明的测试系统可在常温常压下工作，检测精确度高、制样 简单快捷、检测速度快，对测试样品具有无损性，而且对测试人员的 要求很低，操作非常容易，每个样品的测试时间仅为10分钟左右， 更为重要的是整套测试系统价格低廉，可以大大降低测试成本。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京大学 |
| 发明人： | 王新强;沈 波;张 琦;贺小伟;许福军;尹春明;杨志坚;张国义 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-03-13T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200910079885.8 |
| 公开号： | CN101614685 |
| 代理机构： | 北京路浩知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 胡小永 |
| 分类号： | G01N23/227(2006.01)I |
| 申请人地址： | 100871北京市海淀区颐和园路5号 |
| 主权项： | 1、一种检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法，其特征在 于，所述方法包括以下步骤： 利用圆偏振光辐照待测的半导体晶体或外延薄膜材料，并检测所 产生的无偏压电流的电流方向； 根据所述无偏压电流的电流方向，判断所述待测的半导体晶体或 外延薄膜材料的极性。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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