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原文传递一种半导体多孔晶体薄膜传感器及制备方法

专利名称：	一种半导体多孔晶体薄膜传感器及制备方法
摘要：	本发明涉及一种半导体多孔晶体薄膜传感器及制备方法，包括衬底和设置在衬底上的致密多孔晶体薄膜，所述致密多孔晶体薄膜是由尖锥状凸起交联组成的多孔网格结构，所述尖锥状凸起的侧壁之间构成倒尖锥形状的倒尖锥孔。本申请的致密多孔晶体薄膜是一次性生长而成，具有制备工艺简单、比表面积大、且表面活性高等优势；致密多孔晶体薄膜，是由倒尖锥状的孔构成，有利于待测样品进出小孔、并具有大的比表面积；其孔壁为尖锥状结构，更为结实稳定；选用的氮化物半导体材料属于第三代半导体材料，具有优异的化学稳定性，如耐酸碱腐蚀，更适用于高可靠性的半导体传感器。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	辽宁;21
申请人：	黄辉
发明人：	黄辉;渠波;赵丹娜;陈顺姬;周佳玲
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-29T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-05T00:00:00+0800
申请号：	CN201910687309.5
公开号：	CN110412082A
代理机构：	北京金之桥知识产权代理有限公司
代理人：	耿璐璐;朱黎光
分类号：	G01N27/06(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	116024 辽宁省大连市高新区凌工路2号创新园大厦A1226室
主权项：	1.一种半导体多孔晶体薄膜传感器，其特征在于，包括衬底和设置在衬底上的致密多孔晶体薄膜，所述致密多孔晶体薄膜是由尖锥状凸起交联组成的多孔网格结构，所述尖锥状凸起的侧壁之间构成倒尖锥形状的倒尖锥孔。 2.根据权利要求1所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器，其特征在于，所述尖锥状凸起的侧壁是半导体晶面，所述尖锥的夹角处于30°至120°之间。 3.根据权利要求2所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器，其特征在于，所述倒尖锥孔的孔径分布从纳米量级至微米量级。 4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器，其特征在于，所述致密多孔晶体薄膜的材料为元素半导体、化合物半导体和金属氧化物半导体中的一种。 5.根据权利要求4所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器，其特征在于，所述致密多孔晶体薄膜的材料为氮化物。 6.根据权利要求1-4中任一项所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器，其特征在于，所述致密多孔晶体薄膜表面设置有其他材质的半导体晶体薄膜。 7.根据权利要求6所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器，其特征在于，所述半导体晶体薄膜为氧化物半导体薄膜。 8.根据权利要求1-4、6、7中任一项所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器，其特征在于，所述致密多孔晶体薄膜表面设置有金属膜，在金属膜表面修饰有羧基、羧基或巯基。 9.根据权利要求1-4、6、7中任一项所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器，其特征在于，所述致密多孔晶体薄膜经过部分或全部氧化。 10.根据权利要求1、3、4和6所述中任一项所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器的制备方法，其特征在于所述致密多孔晶体薄膜的生长温度，比同类生长条件下的单晶薄膜的生长温度低至少100℃。
所属类别：	发明专利