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一种薄膜晶体管及其制备方法、传感器
| 专利名称： | 一种薄膜晶体管及其制备方法、传感器 |
| 摘要： | 本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、传感器，其中薄膜晶体管包括衬底以及设置在所述衬底上的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极以及有源层；其中，所述有源层内设置有微通道，所述薄膜晶体管用于对所述微通道内的样品进行检测。本申请技术方案通过在薄膜晶体管TFT的有源层内设置微通道，当待测样品进入微通道时，会影响有源层内的电子分布状况，引起TFT特性的波动，通过检测TFT特性的波动，可以达到对待测液体的成分和性质检测的技术效果。并且，借助微通道，可以对其中的样品进行精密控制，一方面减小外界环境的影响，提升检测精度；另一方面可以实现对样品进行持续监控，而非一次性检测，提高样品检测效率。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 发明人： | 马啸尘;袁广才;宁策;胡合合;谷新 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810878941.3 |
| 公开号： | CN109060922A |
| 代理机构： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 |
| 代理人： | 莎日娜 |
| 分类号： | G01N27/414(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)N;G;H;G01;H01;G01N;H01L;G01N27;H01L29;G01N27/414;H01L29/786 |
| 申请人地址： | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |
| 主权项： | 1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底以及设置在所述衬底上的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极以及有源层；其中，所述有源层内设置有微通道，所述薄膜晶体管用于对所述微通道内的样品进行检测。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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