专利名称: |
一种基于双电层薄膜晶体管的湿度传感器及其制备方法 |
摘要: |
本发明公开了一种基于双电层薄膜晶体管的湿度传感器及其制备方法。该湿度传感器包括:衬底;半导体层,形成于所述衬底上;源电极和漏电极,形成于半导体层的上方或下方,分别对应顶栅顶接触和顶栅底接触结构;栅介质层,形成于源电极、漏电极和半导体层上;以及栅电极,形成于所述栅介质层上;所述栅介质层采用湿度敏感型介电材料。本发明采用顶栅结构,用湿度敏感型栅介质代替传统绝缘栅介质;利用栅介质与空气中水分相互作用所导致的其中质子浓度变化,通过在栅电极施加电压后,半导体与栅介质界面处发生载流子‑离子耦合,形成双电层;可有效控制半导体沟道内的载流子浓度,并使源‑漏电极间的电阻与水分子浓度相关联,实现对环境湿度的有效检测。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
江苏;32 |
申请人: |
江南大学 |
发明人: |
邵峰;曹飞飞;顾晓峰 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810081658.8 |
公开号: |
CN108414603A |
代理机构: |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人: |
楼高潮 |
分类号: |
G01N27/414(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/414 |
申请人地址: |
214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号 |
主权项: |
1.一种基于双电层薄膜晶体管的湿度传感器,其特征在于,包括:衬底;半导体层,形成于所述衬底上;源电极和漏电极,形成于半导体层的上方或下方,分别对应顶栅顶接触和顶栅底接触结构;栅介质层,形成于源电极、漏电极和半导体层上;以及栅电极,形成于所述栅介质层上;所述栅介质层为湿度敏感型栅介质层,采用湿度敏感型介电材料。 |
所属类别: |
发明专利 |