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原文传递一种制备外延硅片的装置及硅源材料纯度检测方法

专利名称：	一种制备外延硅片的装置及硅源材料纯度检测方法
摘要：	本发明涉及半导体制备领域，尤其涉及一种制备外延硅片的装置及硅源材料纯度检测方法。所述制备外延硅片的装置包括原料供给单元，所述原料供给单元包括：硅源材料储瓶；硅源材料输出管道；所述硅源材料输出管道的延伸至所述硅源材料储瓶外的一端设置有第二开关；所述原料供给单元还包括：第二气体入口，所述第二气体入口设置于所述硅源材料输出管道位于硅源材料储瓶外的部分；所述第二气体入口相对于第二开关靠近硅源材料储瓶；硅源材料检测组件或取样组件，所述硅源材料检测组件或取样组件与所述第一气体入口连接。本发明的装置简单，安全性高，可以在生产中实现高效的硅源材料纯度检测，避免纯度不合格的硅源材料污染原料输送管道及硅沉积单元。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	陕西;61
申请人：	西安奕斯伟硅片技术有限公司
发明人：	王力;方圭哲;金柱炫
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-19T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-05T00:00:00+0800
申请号：	CN201910654566.9
公开号：	CN110412234A
代理机构：	北京银龙知识产权代理有限公司
代理人：	刘伟;蔡丽
分类号：	G01N33/2022(2019.01);G;G01;G01N;G01N33
申请人地址：	710065 陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
主权项：	1.一种制备外延硅片的装置，包括依次连接的原料供给单元，原料输送管道以及硅沉积单元，所述原料供给单元包括：硅源材料储瓶，设置在硅源材料储瓶顶部的第一气体入口，所述第一气体入口与第一氢气供给单元连接，所述第一氢气供给单元上设置有第一开关；硅源材料输出管道，所述硅源材料输出管道的一端延伸至所述硅源材料储瓶的下部，所述硅源材料输出管道的另一端延伸至所述硅源材料储瓶外；所述硅源材料输出管道的延伸至所述硅源材料储瓶外的一端设置有第二开关，其特征在于，所述原料供给单元还包括：第二气体入口，所述第二气体入口设置于所述硅源材料输出管道位于硅源材料储瓶外的部分；所述第二气体入口相对于第二开关靠近硅源材料储瓶；所述第二气体入口通入的气体不与所述硅源材料发生反应；硅源材料检测组件或取样组件，所述硅源材料检测组件或取样组件与所述第一气体入口连接。 2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述硅源材料为三氯氢硅或者二氯氢硅。 3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二气体入口用于通入氢气。 4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第二气体入口与第二氢气供给单元连接；所述第二氢气供给单元上设置有第三开关。 5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述硅源材料检测组件或取样组件的入口处设置有第四开关。 6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，当所述原料供给单元包括取样组件时，所述取样组件与所述第四开关之间还设置有压力测试组件。 7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述压力测试组件为压力计。 8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述硅源材料的检测组件为化学气相沉积设备，通过检测沉积形成的硅片中的化学组成，判断所述硅源材料的纯度。 9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述硅源材料检测组件或取样组件与所述硅源材料储瓶的距离小于50米。 10.一种硅源材料纯度的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：利用权利要求1～9任意一项所述装置，由第二气体入口处通入气体，所述第二气体入口通入的气体不与所述硅源材料发生反应；所述气体对硅源材料进行鼓泡形成气态硅源材料，所述气态硅源材料由第一气体入口进入硅源材料检测组件或者取样组件；在进入硅源材料检测组件时，按照硅源材料检测组件的检测结果判断硅源材料的纯度；在进入取样组件时，将取得的样品收集并进行检测，根据检测结果判断硅源材料的纯度。
所属类别：	发明专利