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原文传递一种检测锗硅外延缺陷的方法

专利名称：	一种检测锗硅外延缺陷的方法
摘要：	本发明公开了一种检测锗硅外延缺陷的方法，包括如下步骤：(1)在光硅片上生长完锗硅外延后，利用低温外延工艺在锗硅表面再生长一层厚的单晶硅外延，将缺陷放大；(2)将硅片浸入怀特刻蚀腐蚀液，利用怀特刻蚀腐蚀液对缺陷区域和非缺陷区域的腐蚀速率不同将缺陷区域区分出来；(3)将硅片处理干净后直接用光学显微镜找出缺陷。采用该方法可以在锗硅外延开发和生产过程中及时发现工艺产生的缺陷，并进行具体有效的观察。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海华虹NEC电子有限公司
发明人：	季伟;谢烜
专利状态：	有效
申请日期：	2009-07-16T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN200910057606.8
公开号：	CN101957324A
代理机构：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：	王函
分类号：	G01N21/88(2006.01)I
申请人地址：	201206 上海市浦东新区川桥路1188号
主权项：	一种检测锗硅外延缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在光硅片上生长完锗硅外延后，利用低温外延工艺在锗硅表面再生长一层厚的单晶硅外延，将缺陷放大；(2)将硅片浸入怀特刻蚀腐蚀液，利用怀特刻蚀腐蚀液对缺陷区域和非缺陷区域的腐蚀速率不同将缺陷区域区分出来；(3)将硅片处理干净后直接用光学显微镜找出缺陷。
所属类别：	发明专利