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原文传递一种硅抛光片缺陷的检测方法

专利名称：	一种硅抛光片缺陷的检测方法
摘要：	本发明公开了一种硅晶抛光片缺陷的检测方法，所述检测方法包括：在暗室环境中，将聚光光源垂直照射在预先清洗的硅晶抛光片上，从而检测硅晶抛光片缺陷，其中聚光光源的照度高于40万勒；所述检测方法简单易行，且不需要昂贵的专业设备，大大降低了生产成本；效果直观，可通过肉眼直接鉴别；培训成本低，见效快，可立即投入使用，因此适用于硅晶圆片领域。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海超硅半导体有限公司;重庆超硅半导体有限公司
发明人：	孙强;徐伟;沈思情;柏友荣;陈猛
专利状态：	有效
申请号：	CN201811296337.6
公开号：	CN109187580A
代理机构：	北京品源专利代理有限公司 11332
代理人：	巩克栋
分类号：	G01N21/95(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	201604 上海市松江区石湖荡镇双金路258弄158号
主权项：	1.一种硅抛光片缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：在暗室环境中，将聚光光源垂直照射在预先清洗的硅抛光片上，从而检测硅抛光片缺陷，其中聚光光源的照度高于40万勒。
所属类别：	发明专利