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原文传递一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法

专利名称：	一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法
摘要：	本发明公开了一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，包括对硅抛光片进行清洗、干燥，对硅抛光片的表面颗粒进行检测，对硅抛光片进行片盒包装、及包装袋双层真空包装，交替多次在极端化环境中放置硅抛光片，对硅抛光片的表面颗粒进行复测，对前后两次表面颗粒数进行显著性统计分析。通过该方法中对硅抛光片存储环境进行多次温、湿度极端化处理，促使有水雾潜在风险的硅抛光片在短时间内发生水雾，本发明方法简单，成本低，从业技术人员利用本发明方法可以快速、准确判断被检测硅片是否在存储期间会发生水雾缺陷，对所生产的产品质量及时、有效地进行监控，对潜在的风险发出预警，进一步提高、保障了硅抛光片质量。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	河南;41
申请人：	麦斯克电子材料有限公司
发明人：	熊诚雷;张倩;吴跃峰
专利状态：	有效
申请日期：	2019-05-27T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-27T00:00:00+0800
申请号：	CN201910447418.X
公开号：	CN110286071A
代理机构：	洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)
代理人：	王学鹏
分类号：	G01N15/06(2006.01);G;G01;G01N;G01N15
申请人地址：	471000 河南省洛阳市高新技术产业开发区滨河北路99号
主权项：	1.一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：具体步骤为：步骤一、将待检测的硅抛光片进行清洗和干燥，清洗干燥后的硅抛光片还在包装前对硅抛光片表面颗粒数进行处理前检测；步骤二、将步骤一得到的硅抛光片放入片盒中，放置硅抛光片的片盒还使用双层真空袋包装，所述双层真空包装包括聚乙烯袋和铝箔袋；步骤三、将步骤二得到的双层真空包装片盒还放入高温高湿环境、低温冷冻环境和室温高湿环境中处理，所述双层真空包装片盒还在高温高湿环境、低温冷冻环境交替处理，交替处理之后放入室温高湿环境处理；步骤四、将步骤三处理后的双层真空包装片盒在洁净环境下拆除外层的双层真空包装，将硅抛光片从片盒中取出，对取出的硅抛光片表面颗粒数进行处理后检测；步骤五、对比处理前检测和处理后检测的两组硅抛光片表面颗粒数，由对比结果判断硅抛光片是否发生水雾缺陷。 2.根据权利要求1所述的一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：所述片盒为聚丙烯片盒。 3.根据权利要求1所述的一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：所述聚乙烯袋为内层包装袋，所述锡箔袋为外层包装袋，所述锡箔袋还套设于所述聚乙烯袋的外部。 4.根据权利要求1所述的一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：所述双层真空包装片盒还在高温高湿环境、低温冷冻环境中交替处理2次，室温高湿环境为最后的处理环境。 5.根据权利要求1或4所述的一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：所述高温高湿环境是指温度为50℃，相对湿度为95%的密闭环境。 6.根据权利要求1或4所述的一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：所述低温冷冻环境是指温度为0℃的密闭环境。 7.根据权利要求1或4所述的一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：所述室温高湿环境是温度为23℃，相对湿度为95%的密闭环境。 8.根据权利要求1或4所述的一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：双层真空包装片盒处理过程中，高温高湿环境放置时间为8小时，低温冷冻环境放置时间为8小时，室温高湿环境放置放置时间为24小时。 9.根据权利要求1所述的一种加速硅抛光片水雾缺陷显现的方法，其特征在于：所述处理前检测和所述处理后检测均使用表面颗粒扫描仪检测硅抛光片表面颗粒数。
所属类别：	发明专利