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原文传递单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法

专利名称：	单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法
摘要：	本发明涉及一种单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法，所属硅片加工检测技术领域，包括如下操作步骤：第一步：采用直拉单晶炉完成硅片的拉晶过程。第二步：采用切片机完成切片作业。第三步：切片半成品料通过双面抛光机和单面抛光机完成加工，实现抛光片成型过程。第四步：硅片完成抛光工艺后通过KLA‑TencorSP5/7即科天颗粒测定仪进行颗粒检测。第五步：颗粒测试完成后做热氧化，热氧化温度范围为从800℃至1000℃；第六步：热氧化工艺完成后通过KLA‑TencorSP5/7即科天颗粒测定仪进行颗粒检测。第七步：通过扫描SEM即扫描电子显微镜对硅片进行检测。具有操作简单和效率高的特点。经过热氧化变成了条状氧析出物，判断单晶硅是否有轻微间隙原子缺陷。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	浙江;33
申请人：	杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
发明人：	张沛
专利状态：	有效
申请日期：	2023-04-25T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-17T00:00:00+0800
申请号：	CN202310467193.0
公开号：	CN117074449A
代理机构：	杭州融方专利代理事务所(普通合伙)
代理人：	沈相权
分类号：	G01N23/2251;G01N23/2202;G01N15/00;G;G01;G01N;G01N23;G01N15;G01N23/2251;G01N23/2202;G01N15/00
申请人地址：	311201 浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号
主权项：	1.一种单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：采用直拉单晶炉依次经过装料、抽空、熔料、引晶、放肩、转肩、等径和收尾的工艺流程完成硅片的拉晶过程；第二步：采用切片机对拉晶胚料依次进行定向、粘接、系统调整、上机切割、冲洗与去胶和清洗分片的切片工艺过程完成切片作业；第三步：切片半成品料通过双面抛光机和单面抛光机完成加工，实现抛光片成型过程；第四步：硅片完成抛光工艺后通过KLA-TencorSP5/7即科天颗粒测定仪进行颗粒检测，颗粒最小尺寸从19nm开始测试；第五步：颗粒测试完成后做热氧化，热氧化温度范围为从800℃至1000℃；第六步：热氧化工艺完成后通过KLA-TencorSP5/7即科天颗粒测定仪进行颗粒检测，颗粒最小尺寸从19nm开始测试；第七步：通过扫描SEM即扫描电子显微镜对硅片进行检测，根据扫描电子显微镜显示图片的缺陷尺寸及形貌确定单晶硅轻微间隙原子缺陷。 2.根据权利要求1所述的单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法，其特征在于：抛光的工艺过程依次为双面粗抛、双面精抛、初清洗、单面粗抛、单面精抛及终清洗。 3.根据权利要求1所述的单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法，其特征在于：KLA-TencorSP5/7即科天颗粒测定仪采用大面积高能量的DUV激光光源照射被测样品表面，获得被测物表面的高分辨率缺陷。 4.根据权利要求1所述的单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法，其特征在于：热氧化使用的热氧化炉为KE公司的QUIXACE-HT2，工艺过程依次为：待机、开炉门、上料、关闭炉门、恒温、升温、保温、热处理、降温及下料。 5.根据权利要求1所述的单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法，其特征在于：扫描电子显微镜主要结构包括电子光学系统，样品室、真空及电源系统，信号处理系统，图像显示和记录系统。 6.根据权利要求5所述的单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法，其特征在于：电子光学系统将产生电子束，并且在内部高压的作用下产生加速运动，射向镜筒；电子光学系统的电磁透镜会将电子束收缩，扫描线圈使电子束做光栅状运动，电子束轰击在被测样品上，产生二次电子。 7.根据权利要求5所述的单晶硅轻微间隙原子缺陷的检测方法，其特征在于：信号处理系统的信号收集器收集并放大二次电子信号，并在图像显示系统上显示。
所属类别：	发明专利