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原文传递用于检测硅晶圆上激光打标缺陷的方法

专利名称：	用于检测硅晶圆上激光打标缺陷的方法
摘要：	本发明公开了用于检测硅晶圆上激光打标缺陷的方法，该方法包括：(1)对硅晶圆上的激光码进行拍照取像，以便得到原始图像；(2)对所述原始图像进行灰阶转换和高斯模糊处理，以便得到处理后图像；(3)预先确定阈值灰度范围，并将所述处理后图像中不在所述阈值灰度范围内的灰度值调节至所述阈值灰度范围外的任一灰度值，得到所述缺陷图像；(4)对所述缺陷图像进行缺陷分析；(5)根据分析结果标识出缺陷位置、统计缺陷总个数和缺陷面积。由此，采用方法可以有效地检测出硅片上因激光打标或者抛光工序不当产生的缺陷，进而对硅片的质量、激光打标和抛光工序进行评价和监测，同时可以为激光打标或者抛光工序提供指导。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	徐州鑫晶半导体科技有限公司
发明人：	卢建平;郑加镇
专利状态：	有效
申请日期：	2019-06-18T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-16T00:00:00+0800
申请号：	CN201910527893.8
公开号：	CN110132991A
代理机构：	北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	赵天月
分类号：	G01N21/88(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	221004 江苏省徐州市徐州经济开发区杨山路66号
主权项：	1.一种用于检测硅晶圆上激光打标缺陷的方法，其特征在于，包括： (1)对硅晶圆上的激光码进行拍照取像，以便得到原始图像； (2)对所述原始图像进行灰阶转换和高斯模糊处理，以便得到处理后图像； (3)预先确定阈值灰度范围，并将所述处理后图像中不在所述阈值灰度范围内的灰度值调节至所述阈值灰度范围外的任一灰度值，得到所述缺陷图像； (4)对所述缺陷图像进行缺陷分析； (5)根据分析结果标识出缺陷位置、统计缺陷总个数和缺陷面积。 2.根据权利要求1所述用于检测硅晶圆上激光打标缺陷的方法，其特征在于，所述激光打标缺陷包括凸起缺陷和凹陷缺陷，进一步地，步骤(3)包括： (3-1)预先确定所述凸起缺陷的阈值灰度范围，并将所述处理后图像中不在所述凸起缺陷的阈值灰度范围内的灰度值调节至所述凸起缺陷的阈值灰度范围外的任一灰度值，以便得到显示凸起缺陷的缺陷图像； (3-2)预先确定所述凹陷缺陷的阈值灰度范围，并将所述处理后图像中不在所述凹陷缺陷的阈值灰度范围内的灰度值调节至所述凹陷缺陷的阈值灰度范围外的任一灰度值，以便得到显示凹陷缺陷的缺陷图像。 3.根据权利要求2所述用于检测硅晶圆上激光打标缺陷的方法，其特征在于，步骤(5)进一步包括：对所述缺陷图像中的所述凸起缺陷和所述凹陷缺陷进行区分标记，以便完成所述激光打标缺陷的定性分析。 4.根据权利要求3所述用于检测硅晶圆上激光打标缺陷的方法，其特征在于，所述凸起缺陷与所述凹陷缺陷的阈值灰度范围不同。 5.根据权利要求4所述用于检测硅晶圆上激光打标缺陷的方法，其特征在于，所述阈值灰度范围是通过对50-100片硅片的所述处理后图像进行灰度筛选获得，其中至少60％的所述处理后图像在所述阈值灰度范围下能够显现出所述凹陷缺陷或所述突起缺陷。 6.根据权利要求1所述用于检测硅晶圆上激光打标缺陷的方法，其特征在于，所述拍照取像采用显微摄像机在放大5-20倍的条件下完成的。 7.根据权利要求1所述用于检测硅晶圆上激光打标缺陷的方法，其特征在于，所述高斯模糊的模板大小为3×3、5×5、7×7或者9×9的像素。 8.根据权利要求1所述用于检测硅晶圆上激光打标缺陷的方法，其特征在于，所述原始图像的像素为不小于640×480，优选为1024×768、2048×1536或者4096×2160。 9.根据权利要求1所述用于检测硅晶圆上激光打标缺陷的方法，其特征在于，所述激光码是通过硬打标形成的。 10.根据权利要求1所述用于检测硅晶圆上激光打标缺陷的方法，其特征在于，所述方法是对经过抛光处理后硅晶圆进行的。
所属类别：	发明专利