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一种位级双口非易失性静态随机存取存储器及其实现方法
| 专利名称： | 一种位级双口非易失性静态随机存取存储器及其实现方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种位级双口非易失性静态随机存取存储器，包括双口非易失性静态存储单元阵列、字线译码器、位线译码器、预充电电路、多路选择器、读电路与写电路；双口非易失性静态存储单元阵列通过通常读写字线、存储和恢复控制字线与字线译码器连接，双口非易失性静态存储单元阵列通过位线、反位线与位线译码器、预充电电路连接；多路选择器通过数据总线与位线译码器连接，读电路、写电路分别与多路选择器连接；双口非易失性静态存储单元阵列包括双口非易失性静态存储单元。本发明位级双口非易失性静态随机存取存储器具有位级存储和恢复数据的能力，控制电路简单且使系统掉电后恢复时间大大缩短。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 发明人： | 亢勇;陈邦明 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-11-11T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110357043.1 |
| 公开号： | CN102411990A |
| 代理机构： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 |
| 代理人： | 董红曼 |
| 分类号： | G11C16/06(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201506 上海市金山区亭卫公路6505号2栋8号 |
| 主权项： | 一种位级双口非易失性静态随机存取存储器，其特征在于，包括双口非易失性静态存储单元阵列（20）、字线译码器（21）、位线译码器（22）、预充电电路（23）、多路选择器（24、27）、读电路（25、28）与两个写电路（26、29）；所述双口非易失性静态存储单元阵列（20）通过通常读写字线（34、35）、存储和恢复控制字线与所述字线译码器（21）连接，所述双口非易失性静态存储单元阵列（20）通过位线（30、32）、反位线（31、33）与所述位线译码器（22）、预充电电路（23）连接；所述多路选择器（24、27）分别通过数据总线与所述位线译码器（22）连接，所述读电路（25、28）、写电路（26、29）分别与所述多路选择器（24、27）连接；其中，所述双口非易失性静态存储单元阵列（20）包括双口非易失性静态存储单元（16）。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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