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原文传递 一种真空磁控溅射用新型平面阴极
专利名称: 一种真空磁控溅射用新型平面阴极
摘要: 本实用新型涉及到一种真空磁控溅射用新型平面阴极,其技术方案为真空磁控溅射用新型平面阴极通过真空腔体被隔离为真空侧(I)和大气侧(Ⅱ),真空腔体内设有阴极罩,其中,阴极罩与真空腔体之间设有绝缘板,绝缘板位于大气侧(Ⅱ),可防止真空磁控溅射用新型平面阴极在镀膜过程中膜层的附着导致绝缘失效,在所述真空侧内的阴极罩上端安装有铜背板,铜背板的外侧焊接靶材,使得绝缘效果良好、稳定、安装方便。由于在屏蔽罩的外侧设有辅助阳极罩,从而使得靶材点火方便,保证镀膜效果均匀,提高了靶材利用率。
专利类型: 实用新型专利
申请人: 上海子创镀膜技术有限公司
发明人: 梁得刚;李征;张俊峰;李桂良
专利状态: 有效
申请日期: 2013-12-24T00:00:00+0800
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201320857516.9
公开号: CN203768448U
代理机构: 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243
代理人: 陈贞健
分类号: C23C14/35(2006.01)I
申请人地址: 201506 上海市金山区亭林镇金飞路808号
主权项: 一种真空磁控溅射用新型平面阴极,其特征在于,所述真空磁控溅射用新型平面阴极通过真空腔体(1)被隔离成真空侧(I)和大气侧(Ⅱ),其中,所述真空腔体(1)内设有阴极罩(2)、所述阴极罩(2)与真空腔体(1)之间设有绝缘板(3),所述绝缘板(3)位于大气侧(Ⅱ),防止所述真空磁控溅射用新型平面阴极(100)在镀膜过程中膜层的附着导致绝缘失效。?
所属类别: 实用新型
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