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一种石墨烯基薄膜型氢气传感器及其制备方法
| 专利名称： | 一种石墨烯基薄膜型氢气传感器及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯基薄膜型氢气传感器的制备方法，包括：在表面设有石墨烯薄膜的基底上制备接触电极，然后去除两个所述接触电极围成区域以外的石墨烯薄膜，再通过光刻、沉积和剥离工艺将催化金属颗粒负载至石墨烯薄膜上，得到氢气敏感电阻单元，所述催化金属颗粒为离散型分布且尺寸为1～10nm。本发明通过微纳加工的手段得到石墨烯基薄膜型氢气传感器，该制备方法可同时制备出多个氢气传感器，工艺简单、周期短、成本低，获得的产品质量稳定、功耗低，对氢气具有高选择性和高灵敏度，氢气体积浓度检测范围为0.0001％～100％，应用范围广阔。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京镭硼科技有限责任公司 |
| 发明人： | 杨全胜;田陆 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810678756.X |
| 公开号： | CN108548852A |
| 代理机构： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
| 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12 |
| 申请人地址： | 100080 北京市海淀区北四环西路9号4层3A15 |
| 主权项： | 1.一种石墨烯基薄膜型氢气传感器的制备方法，其特征在于，包括：在表面设有石墨烯薄膜的基底上制备接触电极，然后去除两个所述接触电极围成区域以外的石墨烯薄膜，再通过光刻、沉积和剥离工艺将催化金属颗粒负载至石墨烯薄膜上，得到氢气敏感电阻单元，所述催化金属颗粒为离散型分布且尺寸为1～10nm。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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