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原文传递 一种三维石墨烯基比例型信号放大适体传感器及其制备方法与应用
专利名称: 一种三维石墨烯基比例型信号放大适体传感器及其制备方法与应用
摘要: 本发明公开了一种基于三维石墨烯的比例型信号放大适体传感器制备方法。该方法以金纳米‑三维石墨烯复合物为修饰电极基底材料,然后将二茂铁标记的粘蛋白适体嫁接到三维石墨烯表面的金纳米颗粒上,并用牛血清蛋白对传感界面的非特异性位点进行了封闭。当二茂铁标记适体将粘蛋白捕获到电极表面后,再用甲基蓝标记粘蛋白适体‑金纳米复合物与之共同孵育而后用于电化学检测。本发明采用适体构建传感界面,有利于增强传感器的稳定性和选择性;同时,将二茂铁、甲基蓝两种电活性物质引入传感体系中,可分别起到内参比作用以及信号放大作用。该比例型信号放大适体传感器的构建方法,具有灵敏度高、稳定性好、方法简单、成本效益高等优点。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 北京;11
申请人: 清华大学
发明人: 梁琼麟;杨少红
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810189289.4
公开号: CN108490053A
代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245
代理人: 关畅;王春霞
分类号: G01N27/327(2006.01)I;G01N27/48(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/327;G01N27/48
申请人地址: 100084 北京市海淀区北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室
主权项: 1.一种三维石墨烯基比例型信号放大适体电化学传感器的制备方法,包括如下步骤:(1)将金纳米‑三维石墨烯复合材料修饰于玻碳电极表面,得到金纳米‑三维石墨烯修饰电极;(2)将巯基化二茂铁标记MUC1适体嫁接于所述金纳米‑三维石墨烯修饰电极表面,得到二茂铁标记MUC1适体/金纳米‑三维石墨烯修饰电极;(3)将所述二茂铁标记MUC1适体/金纳米‑三维石墨烯修饰电极上的非特异性吸附位点进行封闭后,浸于不同浓度的MUC1溶液中进行孵育,得到捕获MUC1的修饰电极;(4)将所述捕获MUC1的修饰电极浸于甲基蓝标记MUC1适体的金纳米复合物的溶液中进行孵育,即得到所述三维石墨烯基比例型信号放大适体电化学传感器。
所属类别: 发明专利
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