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一种碲镉汞薄膜组分梯度分布的测试方法
| 专利名称： | 一种碲镉汞薄膜组分梯度分布的测试方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碲镉汞薄膜组分梯度分布的测试方法。采用电感耦合等离子体技术形成碲镉汞台面结构，采用离子注入的方法把硼离子注入到P型的碲镉汞中形成PN结。使用傅里叶光谱仪对器件进行光谱扫描，同时使用灵敏电流计测量光电流响应，得到材料的归一化吸收谱图。利用归一化吸收谱图分析材料的组分。该方法采用电感耦合等离子技术分析碲镉汞材料组分的梯度分布，解决了现有的傅里叶透射光谱法和光致发光法只能测试材料表面或材料整体组分的缺点。与采用光学薄膜分析软件对碲镉汞薄膜组分进行拟合运算相比，本方法测量出碲镉汞的组分梯度分布更加精确真实，可以直接用于指导探测器的设计。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 发明人： | 叶振华;崔爱梁;刘棱枫;孙常鸿;张伟婷;丁瑞军;何力 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810598150.5 |
| 公开号： | CN108872104A |
| 代理机构： | 上海沪慧律师事务所 31311 |
| 代理人： | 郭英 |
| 分类号： | G01N21/31(2006.01)I;G01N21/01(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N1;G01N21/31;G01N21/01;G01N1/28 |
| 申请人地址： | 200083 上海市虹口区玉田路500号 |
| 主权项： | 1.一种碲镉汞薄膜组分梯度分布的测试方法，其特征在于包括以下步骤：1)通过干法刻蚀的方法，得到的碲镉汞台面芯片结构，采用氩气/甲烷刻蚀剂刻蚀碲镉汞，通过控制刻蚀时间来控制所形成台面结构的深度，达到精确控制刻蚀深度的目的；2)采用离子注入的方法形成具有单向导电性的空间电荷区；用硼离子注入到以硫化锌作为阻挡测的碲镉汞台面结构中，注入深度为1.2微米；3)将待测碲镉汞薄膜金属化并引出电极倒焊互联；将注入后待测的碲镉汞薄膜金属化处理，使用铟柱把金属电极连接到读出电路，对光敏元产生的光电流进行测量，所述金属化厚度为160nm，所述铟柱直径为10μm；4)利用傅里叶光谱仪扫描下获得的光电流随波长分布规律，使用汉森施密特禁带宽度公式，分析所述深度处碲镉汞组分；测试过程中保证公共电极接地，光敏元所加反偏电压为8毫伏。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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