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原文传递一种新型空燃比传感器芯片

专利名称：	一种新型空燃比传感器芯片
摘要：	本实用新型公开了一种新型空燃比传感器芯片，其特征是包括氧化锆陶瓷基片、铂金属电极和丝网印刷层，所述氧化锆陶瓷基片有三层，铂金属电极有四个，所述三层氧化锆陶瓷基片、四个铂金属电极和丝网印刷层按照一定顺序组合成泵氧电池、参比电池、气体测试腔和大气导入室，所述泵氧电池位于上层，参比电池位于泵氧电池下方，泵氧电池和参比电池之间有气体测试腔，大气导入室位于参比电池的下方。本实用新型整体设计合理，抗弯强度高，控制精度高，空燃比检测范围广，启动速度快，响应时间短，在恶劣环境下工作稳定性能好。
专利类型：	实用新型
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	苏州禾苏传感器科技有限公司
发明人：	胡延超;苗伟峰;徐斌
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201820146095.1
公开号：	CN207894867U
分类号：	G01N27/409(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/409
申请人地址：	215028 江苏省苏州市工业园区兴浦路333号现代工业坊4栋4楼E
主权项：	1.一种新型空燃比传感器芯片，其特征是包括氧化锆陶瓷基片、铂金属电极和丝网印刷层，氧化锆陶瓷基片有三层，铂金属电极有四个，所述三层氧化锆陶瓷基片、四个铂金属电极和丝网印刷层按照一定顺序组合成泵氧电池、参比电池、气体测试腔和大气导入室，所述泵氧电池位于上层，参比电池位于泵氧电池下方，泵氧电池和参比电池之间有气体测试腔，气体测试腔外侧有扩散限速层，大气导入室位于参比电池的下方，所述空燃比传感器芯片外侧有保护层，保护层为多孔陶瓷网筛结构能够过滤保护铂金属电极不被硅、铅、粉尘颗粒有害物质毒化，所述三层氧化锆陶瓷基片为氧化锆陶瓷A基片、氧化锆陶瓷B基片和氧化锆陶瓷C基片，氧化锆陶瓷A基片和氧化锆陶瓷B基片为固体电解质产生氧空位传导氧负离子，氧化锆陶瓷C基片与氧化锆陶瓷B基片共同围成大气导入室，氧化锆陶瓷C基片位于氧化锆陶瓷B基片的两侧，氧化锆陶瓷C基片与氧化锆陶瓷B基片紧密结合形成整体，所述丝网印刷层位于氧化锆陶瓷A基片氧化锆陶瓷B基片的上表面和下表面，所述氧化锆陶瓷A基片上表面有铂金属电极正极，氧化锆陶瓷A基片下表面有铂金属电极负极，氧化锆陶瓷A基片上表面的铂金属电极正极、氧化锆陶瓷A基片和氧化锆陶瓷A基片下表面的铂金属电极负极三者组成泵氧电池，泵氧电池产生泵氧电流，氧化锆陶瓷A基片上表面的铂金属电极正极和氧化锆陶瓷A基片下表面的铂金属电极负极能够催化氧，将氧气转化为氧负离子或氧负离子转化为氧气，所述氧化锆陶瓷B基片上表面有铂金属电极正极，氧化锆陶瓷B基片下表面有铂金属电极负极，氧化锆陶瓷B基片上表面的铂金属电极正极、氧化锆陶瓷B基片和氧化锆陶瓷B基片下表面的铂金属电极负极三者组成参比电池，参比电池根据大气导入室参比空气和气体测试腔中尾气的氧气浓度差产生电势，所述气体测试腔储存通过气体测试腔外侧扩散限速层进来的尾气，气体测试腔上下两侧有铂金属电极，所述大气导入室有氧化锆陶瓷C基片与氧化锆陶瓷B基片共同围成，大气导入室储存参比空气，大气导入室与外界大气相通。
所属类别：	实用新型