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一种多层一体式空燃比传感器芯片
| 专利名称： | 一种多层一体式空燃比传感器芯片 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种多层一体式空燃比传感器芯片，其特征是包括氧化铝层、铂A层、锆基板、锆铝层锆多、铂B层、空腔、扩散障层、锆铝层铝多、铂C层、铂D层、保护层和加热体共同组成芯片整体，所述芯片整体共有二十六层，所述芯片整体中每相邻的两层材料成分和组成都不相同，芯片整体在同一烧结温度曲线下共烧成形。本实用新型整体结合紧密，无断裂、分层、翘曲和脱落缺陷，芯片整体具有传导氧负离子、催化氧气、控制气体扩散速率、绝缘电流和过滤气体的功能。 |
| 专利类型： | 实用新型 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 苏州禾苏传感器科技有限公司 |
| 发明人： | 徐斌;苗伟峰;胡延超 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201820145496.5 |
| 公开号： | CN207816894U |
| 分类号： | G01N27/403(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/403 |
| 申请人地址： | 215028 江苏省苏州市工业园区兴浦路333号现代工业坊4栋4楼E |
| 主权项： | 1.一种多层一体式空燃比传感器芯片，其特征是有芯片主体、保护层和加热体共同组成芯片整体，所述芯片主体有氧化铝层、铂A层、锆基板、锆铝层锆多、铂B层、空腔、扩散障层、锆铝层铝多、铂C层、铂D层，所述芯片主体中有六层氧化铝层、三层锆基板、两层锆铝层锆多，所述第一层氧化铝层上面有第一层锆基板，第一层锆基板上面有第二层氧化铝层，第二层氧化铝层上面有铂D层，铂D层上面有第三层氧化铝层，第三层氧化铝层上面有第二层锆基板，第二层锆基板上面有第一层锆铝层锆多，第一层锆铝层锆多上面有铂C层，铂C层上面有第四层氧化铝层，第四层氧化铝层上面有锆铝层铝多，锆铝层铝多上面有第五层氧化铝层，锆铝层铝多的外侧有空腔，扩散障层位于空腔内部，第五层氧化铝层上面有铂B层，铂B层上面有第二层锆铝层锆多，第二层锆铝层锆多上面有第三层锆基板，第三层锆基板上面有铂A层，铂A层上面有第六层氧化铝层，所述加热体有1～4层，保护层有4～7层，加热体位于芯片主体的内部，保护层位于芯片主体内部或芯片主体外表面。 |
| 所属类别： | 实用新型 |
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