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选择性增强的多波长金属等离子共振结构及其制备方法
| 专利名称： | 选择性增强的多波长金属等离子共振结构及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于选择性增强的多重光场耦合Fano共振金属等离子共振结构及其制备方法，该共振结构包括金属膜、介质膜和金属孔阵列，其中所述介质膜的材料为光学透明介质，且位于金属孔阵列及金属膜之间。本发明的共振结构可以同时实现多个具有极高电磁场增强因子的多波长共振，且这些共振模式具有窄线宽、共振峰强度相当、共振光场主要局域于金属圆孔中等特性。这些特性使该结构可以对目标分子的激发场与发射场进行同时增强，在保证检测的高灵敏度和高精确度的同时实现对目标分子的选择性检测。该共振结构的制备方法工艺简便，只需要传统的纳米压印工艺与薄膜蒸镀工艺，重复性好，便于应用。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 东南大学 |
| 发明人： | 吕昌贵;祁正青;钟嫄;崔一平 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810331189.0 |
| 公开号： | CN108593624A |
| 代理机构： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
| 代理人： | 柏尚春 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/65 |
| 申请人地址： | 210096 江苏省南京市四牌楼2号 |
| 主权项： | 1.一种用于选择性增强的多重光场耦合Fano共振金属等离子共振结构，其特征在于：从下而上依次包括金属膜(1)、光学透明介质膜(2)和金属孔阵列(3)。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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