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原文传递 表面等离子体共振传感芯片的制备及其使用方法
专利名称: 表面等离子体共振传感芯片的制备及其使用方法
摘要: 本发明提供一种表面等离子体共振传感芯片的制备方法,该方法包括以下步骤:S1、清洗基片并烘干,在基片上制备一层铬膜;S2、在铬膜上制备一层介质层;以及S3、在介质层上形成一层金属层,金属层包括金层或银层,其中,介质层包括聚甲基丙甲酸甲酯、IR‑140染料以及二氯甲烷,介质层用于提高表面等离子体共振传感芯片的灵敏度,并扩大表面等离子体共振传感芯片的检测范围。本发明还提供一种利用上述方法制备的表面等离子体共振传感芯片进行检测的方法。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 北京;11
申请人: 中国科学院电子学研究所
发明人: 秦连松;陈兴;张璐璐;崔大付;徐春方;任艳飞
专利状态: 有效
申请号: CN201811018795.3
公开号: CN109239019A
代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人: 张成新
分类号: G01N21/55(2014.01)I;G;G01;G01N;G01N21
申请人地址: 100190 北京市海淀区北四环西路19号
主权项: 1.一种表面等离子体共振传感芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、清洗基片并烘干,在所述基片上制备一层铬膜;S2、在所述铬膜上制备一层介质层;以及S3、在所述介质层上形成一层金属层,所述金属层包括金层或银层,其中,所述介质层包括聚甲基丙甲酸甲酯、IR‑140染料以及二氯甲烷,所述介质层用于提高所述表面等离子体共振传感芯片的灵敏度,并扩大所述表面等离子体共振传感芯片的检测范围。
所属类别: 发明专利
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