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1.一种基于波导耦合表面等离子体(Surface Plasmon Polaritons, SPPs)共振的崭新传感芯片,其特征在于,包括基底,黏附薄膜层,介质波导层和上下两层金属薄膜层,所述黏附薄膜层位于所述基底和所述下层金属薄膜层之间,所述介质波导层位于所述上下两层金属薄膜层之间。 2.根据权利要求1所述的一种基于波导耦合SPPs共振传感芯片,其特征在于,所述基底材料对工作波长透明,基底材料为玻璃,或有机聚合物材料等中的一种。 3.根据权利要求1所述的一种基于波导耦合SPPs共振传感芯片,其特征在于,所述黏附薄膜层起增强基底和下金属薄膜层之间黏附力的作用,所述黏附薄膜层厚度在1至5纳米范围内,所述黏附薄膜层的材料为铬,钛,铬氧化物,钛氧化物,或是氟化镁等中的一种。 4.根据权利要求1所述的一种基于波导耦合SPPs共振传感芯片,其特征在于,所述下层金属层和上层金属层的金属材料可以相同,也可以不相同,材料为能激发SPPs模式的金属,包括金,银,铝,铜,钛,铬等贵金属中的任何一种,或是各自的合金材料。 5.根据权利要求1或4所述的一种基于波导耦合SPPs共振传感芯片,其特征在于,所述下层金属薄膜层厚度控制在20纳米至60纳米范围内,同时,为保证高敏感度,所述上层金属薄膜层厚度控制在10纳米至30纳米范围内。 6.根据权利要求1所述的一种基于波导耦合SPPs共振传感芯片,其特征在于,所述介质波导层与所述上下两层金属薄膜层之间有着良好的黏附特性,所述介质波导层的材料折射率位于1.5至3.5之间,所述介质波导层的厚度根据介质层材料折射率和工作波长而定,须满足波导基模的激发条件,所述介质波导层厚度控制在100纳米至300纳米之间。 7.根据权利要求1所述的一种基于波导耦合SPPs共振传感芯片,其特征在于,所述黏附薄膜层,介质波导层和上下两层金属薄膜层的镀膜工艺,可以采取常用真空蒸镀和离子溅射等镀膜工艺。 |