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基于波导与表面等离子体耦合的多法诺共振传感器
| 专利名称： | 基于波导与表面等离子体耦合的多法诺共振传感器 |
| 摘要： | 本发明属于光学传感器技术领域，具体涉及一种基于波导与表面等离子体耦合的多法诺共振传感器，包括棱镜和金属膜组成的Kretschmann结构，二氧化硅、Parylene C和介质层组成的波导结构，介质层和Parylene C依次置于二氧化硅上表面，波导结构置于Kretschmann结构上方。本发明选择合适的波导层厚度能实现表面等离子体与多阶波导模式的耦合，从而引起多法诺共振。其次利用法诺共振极窄线型的特点，通过周围介质折射率的微小变化，能引起法诺共振位置发生明显移动，具有很高的灵敏度。结构简单，便于制备，并且比传统的等离子体传感器灵敏度高的特点在光传感器件等方面有广泛的应用前景。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 江南大学 |
| 发明人： | 王继成;杨柳;李可;刘禹 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-03-12T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-06-11T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910183769.4 |
| 公开号： | CN109870425A |
| 代理机构： | 大连理工大学专利中心 |
| 代理人： | 梅洪玉 |
| 分类号： | G01N21/41(2006.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 214122 江苏省无锡市蠡湖大道1800号 |
| 主权项： | 1.基于波导与表面等离子体耦合的多法诺共振传感器，其特征在于，包括棱镜和金属膜组成的Kretschmann结构，介质层和Parylene C依次置于二氧化硅上表面构成波导结构，波导结构置于Kretschmann结构上方。 2.如权利要求1所述的基于波导与表面等离子体耦合的多法诺共振传感器，其特征在于，进一步的，所述的金属采用银，介质层采用水。 3.如权利要求2所述的基于波导与表面等离子体耦合的多法诺共振传感器，其特征在于，二氧化硅的厚度tSiO2＝0.7微米，Parylene C的厚度tplc＝1.3微米，银的厚度为48纳米，得到多法诺共振传感器灵敏度为1540.2RIU-1。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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