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一种基于双平面波导耦合的表面等离激元共振传感器
| 专利名称： | 一种基于双平面波导耦合的表面等离激元共振传感器 |
| 摘要： | 一种基于双平面波导耦合的表面等离激元共振传感器，包括依次设置的棱镜、金层或者银层、第一平面介质波导和第二平面介质波导；第一平面介质波导包括依次设置的上含氟聚合物层、上二氧化锆层和传感层，第二平面介质波导包括依次设置的传感层、下二氧化锆层和下含氟聚合物层，第一平面介质波导和第二平面介质波导共用传感层，传感层内设置有待测液体或者待测气体的通道。本发明继承传统SPR传感器的样品无标记、实时动态检测等优点之外，由于Fano效应的发生而具有损耗低、成像灵敏度与Q因子高等突出优点。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖南;43 |
| 申请人： | 中南林业科技大学 |
| 发明人： | 贺梦冬;鲁登云;赵凯;王凯军;张新民;李建波 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2019-10-19T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-12-31T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201910996757.3 |
| 公开号： | CN110632034A |
| 分类号： | G01N21/552(2014.01);G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 410000 湖南省长沙市天心区韶山南路498号中南林业科技大学电子信息楼 |
| 主权项： | 1.一种基于双平面波导耦合的表面等离激元共振传感器，其特征在于：包括依次设置的棱镜、金层或者银层、第一平面介质波导和第二平面介质波导；所述第一平面介质波导包括依次设置的上含氟聚合物层、上二氧化锆层和传感层，所述第二平面介质波导包括依次设置的传感层、下二氧化锆层和下含氟聚合物层，所述第一平面介质波导和第二平面介质波导共用传感层，所述传感层内设置有待测液体或者待测气体的通道。 2.根据权利要求1所述的基于双平面波导耦合的表面等离激元共振传感器，其特征在于：所述金层或者银层的厚度为30-100nm。 3.根据权利要求2所述的基于双平面波导耦合的表面等离激元共振传感器，其特征在于：所述金层或者银层的厚度为48nm。 4.根据权利要求1所述的基于双平面波导耦合的表面等离激元共振传感器，其特征在于：所述上含氟聚合物层的厚度为500-1500nm，所述上二氧化锆的厚度为80-150nm，所述传感层的厚度为100-500nm。 5.根据权利要求4所述的基于双平面波导耦合的表面等离激元共振传感器，其特征在于：所述上含氟聚合物层的厚度为895nm，所述上二氧化锆的厚度为110nm，所述传感层的厚度为371nm。 6.根据权利要求1所述的基于双平面波导耦合的表面等离激元共振传感器，其特征在于：所述下二氧化锆层的厚度为50-200nm。 7.根据权利要求6所述的基于双平面波导耦合的表面等离激元共振传感器，其特征在于：所述下二氧化锆层的厚度为115nm。 8.根据权利要求1所述的基于双平面波导耦合的表面等离激元共振传感器，其特征在于：所述棱镜和下含氟聚合物层的厚度为上含氟聚合物层厚度的10倍以上。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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