专利名称: |
一种化学传感单元及化学传感器、化学传感装置 |
摘要: |
本发明实施例提供一种化学传感单元及化学传感器、化学传感装置,涉及电子传感技术领域,能够将化学物质浓度通过可视化的亮度进行提现,以实现可视化的化学物质浓度的检测;该化学传感单元包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管以及与薄膜晶体管连接的发光二极管;薄膜晶体管包括半导体有源层、源极、漏极;其中,半导体有源层主要采用化学敏感性半导体材料构成;该化学传感单元在对应源极和漏极之间的区域设置有过孔,以使得半导体有源层在对应过孔位置处裸露;发光二极管包括层叠设置的第一电极、发光功能层、第二电极,第一电极与漏极连接。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
北京;11 |
申请人: |
京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
发明人: |
王庆贺;闫梁臣;王东方;苏同上;程磊磊;黄勇潮;张扬;李广耀;袁广才 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810825234.8 |
公开号: |
CN108896717A |
代理机构: |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人: |
申健 |
分类号: |
G01N33/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N33;G01N33/00 |
申请人地址: |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |
主权项: |
1.一种化学传感单元,其特征在于,包括设置于衬底基板上的薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的发光二极管;所述薄膜晶体管包括半导体有源层、源极、漏极;其中,所述半导体有源层主要采用化学敏感性半导体材料构成;所述化学传感单元在对应所述源极和所述漏极之间的区域设置有过孔,以使得所述半导体有源层在对应所述过孔的位置处裸露;所述发光二极管包括:依次层叠设置的第一电极、发光功能层和第二电极,所述第一电极与所述漏极连接。 |
所属类别: |
发明专利 |