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原文传递 一种用于中子静高压实验的密封腔
专利名称: 一种用于中子静高压实验的密封腔
摘要: 本实用新型提供了一种用于中子静高压实验的密封腔,所述密封腔的密封腔盖包括密封腔顶板、波纹管和上法兰口,密封腔顶板和上法兰口分别与波纹管的上下端连接,上法兰口为密封腔盖的开口端,密封腔顶板为密封腔盖的封闭端;密封腔底包括下法兰口、中子窗、密封腔定位孔和高压腔卡口;下法兰口处于密封腔底上端开口处,中子窗口位于下法兰口下方,密封腔定位孔位于密封腔底的底部中心处,高压腔卡口位于密封腔底的底部。
专利类型: 实用新型
国家地区组织代码: 四川;51
申请人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
发明人: 谢雷;陈喜平;房雷鸣;夏元华;李昊;孙光爱
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201721152676.8
公开号: CN207163939U
代理机构: 中国工程物理研究院专利中心 51210
代理人: 翟长明;韩志英
分类号: G01N23/207(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N23;G01N23/207
申请人地址: 621999 四川省绵阳市919信箱218分箱
主权项: 一种用于静高压中子衍射的密封腔,其特征在于:所述密封腔包括密封腔盖(1)、密封垫圈(2)、卡箍(3)和密封腔底(4);密封腔盖(1)包括密封腔顶板(11)、波纹管(12)和上法兰口(13),密封腔顶板(11)和上法兰口(13)分别与波纹管(12)的上下端连接,上法兰口(13)为密封腔盖(1)的开口端,密封腔顶板(11)为密封腔盖(1)的封闭端;密封腔底(4)包括下法兰口(41)、中子窗(42)、密封腔定位孔(43)和高压腔卡口(44);下法兰口(41)处于密封腔底(4)上端开口处,中子窗口位于下法兰口(41)下方,密封腔定位孔(43)位于密封腔底(4)的底部中心处,高压腔卡口(44)位于密封腔底(4)的底部。
所属类别: 实用新型
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