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一种纳米锥阵列复合SRES基底及制备方法
| 专利名称： | 一种纳米锥阵列复合SRES基底及制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米锥阵列复合SRES基底及制备方法。本发明采用对金属衬底进行水热反应，从而形成垂直于金属衬底的纳米锥阵列，对纳米锥阵列进行高温煅烧，从而将金属的纳米锥阵列由金属变成金属氧化物，在纳米锥阵列上形成贵金属的纳米颗粒，当一束特定波长的光照射在贵金属纳米颗粒上，金属表面的电子云在光场的作用下形成等离子振荡，致使纳米颗粒表面光场分布的局部不均匀，纳米颗粒之间的间距为纳米尺度，增加了纳米颗粒缝隙处的电磁场耦合强度，从而导致表面增强拉曼散射的发生；使得待检测物质在纳米锥阵列上时拉曼信号得到显著增强，极大地提高检测灵敏度。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中央民族大学 |
| 发明人： | 张谷令;方浩;邹斌;王义全;冯帅 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810062173.4 |
| 公开号： | CN108375565A |
| 代理机构： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 |
| 代理人： | 王岩 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;C23C28/00(2006.01)I;G;B;C;G01;B82;C23;G01N;B82Y;C23C;G01N21;B82Y40;B82Y20;C23C28;G01N21/65;B82Y40/00;B82Y20/00;C23C28/00 |
| 申请人地址： | 100081 北京市海淀区中关村南大街27号 |
| 主权项： | 1.一种纳米锥阵列复合表面增强拉曼光谱SRES基底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：1)提供表面光亮干净的金属衬底；2)将金属衬底放置在碱性溶液中进行水热反应，控制反应时间和温度，在金属衬底的表面生成垂直于衬底的纳米锥阵列；3)去除表面残留的物质；4)将生成在金属衬底表面的纳米锥阵列进行高温煅烧，纳米锥阵列由金属变成金属氧化物；5)在纳米锥阵列上溅射或热蒸镀一层贵金属，通过控制溅射或热蒸镀的时间控制贵金属的厚度为20～50nm，贵金属在纳米锥阵列上不能形成连接的表面；当一束特定波长的光照射在贵金属纳米颗粒上，金属表面的电子云在光场的作用下形成等离子振荡，致使纳米颗粒表面光场分布的局部不均匀，纳米颗粒之间的间距为纳米尺度，增加了纳米颗粒缝隙处的电磁场耦合强度，从而导致表面增强拉曼散射的发生。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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