当前位置: 首页> 交通专利数据库 >详情
原文传递 一种基于GQDs-PVA复合物的光子晶体光纤湿度传感器及制备方法
专利名称: 一种基于GQDs-PVA复合物的光子晶体光纤湿度传感器及制备方法
摘要: 本发明属于光纤湿度传感技术领域,提出了一种基于GQDs‑PVA复合物的光子晶体光纤湿度传感器及制备方法。其光子晶体光纤凸锥型湿度传感结构由一段光子晶体光纤两端分别熔接一段单模光纤,光子晶体光纤外表面镀有GQDs‑PVA复合物薄膜,所述薄膜厚度小于4.45μm。GQDs‑PVA复合物的质量比例为PVA:GQDs=15~18。本发明提出的一种基于GQDs‑PVA复合物的光子晶体光纤凸锥型湿度传感器具有制备简单、成本低、灵敏度高,能够应用于恶劣及狭小环境的优点。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 辽宁;21
申请人: 东北大学
发明人: 赵勇;仝锐杰
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810793720.6
公开号: CN108918430A
代理机构: 大连理工大学专利中心 21200
代理人: 陈玲玉;梅洪玉
分类号: G01N21/25(2006.01)I;G01N21/45(2006.01)I;G01N21/01(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/25;G01N21/45;G01N21/01
申请人地址: 110819 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
主权项: 1.一种基于GQDs‑PVA复合物的光子晶体光纤湿度传感器,其特征在于,光子晶体光纤两端分别与单模光纤熔接,光子晶体光纤外表面镀有GQDs‑PVA复合物薄膜,所述薄膜厚度小于4.45μm。
所属类别: 发明专利
检索历史
应用推荐