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原文传递 一种基于GQDs-PVA填充的FPI级联型光纤湿度传感器及制备方法
专利名称: 一种基于GQDs-PVA填充的FPI级联型光纤湿度传感器及制备方法
摘要: 本发明提出了一种基于GQDs‑PVA填充的FPI级联型光纤湿度传感器及制备方法。所述的FPI级联型湿度传感器由单模光纤、光子晶体光纤、空芯光纤和GQDs‑PVA混合物组成,其中,GQDs‑PVA混合物填充在空芯光纤里面,光子晶体光纤的长度为aum,空芯光纤未填充GQDs‑PVA混合物的长度为bum,且0.5<a:b≤1,从而形成FPI级联型的传感结构。单模光纤的另外一端与光纤环形器相连,环形器的另外两端分别与宽谱光源和光谱仪相连接。本发明提出的基于GQDs‑PVA填充的FPI级联型光纤湿度传感器是反射式结构,具有结构简单、传感器成本低、敏感材料不易脱落、灵敏度高、测量范围宽等优点。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 辽宁;21
申请人: 东北大学
发明人: 赵勇;仝锐杰
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810920714.2
公开号: CN108982415A
代理机构: 大连理工大学专利中心 21200
代理人: 陈玲玉;梅洪玉
分类号: G01N21/41(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/41
申请人地址: 110819 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
主权项: 1.一种基于GQDs‑PVA填充的FPI级联型光纤湿度传感器,其特征在于,光子晶体光纤两端分别熔接单模光纤和空芯光纤,自空芯光纤的自由端向熔接端填充GQDs‑PVA混合物;光子晶体光纤的长度为aμm,空芯光纤未填充GQDs‑PVA的长度为bμm,且0.5<a:b≤1。
所属类别: 发明专利
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