专利名称: |
一种基于GQDs-PVA填充的FPI级联型光纤湿度传感器及制备方法 |
摘要: |
本发明提出了一种基于GQDs‑PVA填充的FPI级联型光纤湿度传感器及制备方法。所述的FPI级联型湿度传感器由单模光纤、光子晶体光纤、空芯光纤和GQDs‑PVA混合物组成,其中,GQDs‑PVA混合物填充在空芯光纤里面,光子晶体光纤的长度为aum,空芯光纤未填充GQDs‑PVA混合物的长度为bum,且0.5<a:b≤1,从而形成FPI级联型的传感结构。单模光纤的另外一端与光纤环形器相连,环形器的另外两端分别与宽谱光源和光谱仪相连接。本发明提出的基于GQDs‑PVA填充的FPI级联型光纤湿度传感器是反射式结构,具有结构简单、传感器成本低、敏感材料不易脱落、灵敏度高、测量范围宽等优点。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
辽宁;21 |
申请人: |
东北大学 |
发明人: |
赵勇;仝锐杰 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810920714.2 |
公开号: |
CN108982415A |
代理机构: |
大连理工大学专利中心 21200 |
代理人: |
陈玲玉;梅洪玉 |
分类号: |
G01N21/41(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/41 |
申请人地址: |
110819 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号 |
主权项: |
1.一种基于GQDs‑PVA填充的FPI级联型光纤湿度传感器,其特征在于,光子晶体光纤两端分别熔接单模光纤和空芯光纤,自空芯光纤的自由端向熔接端填充GQDs‑PVA混合物;光子晶体光纤的长度为aμm,空芯光纤未填充GQDs‑PVA的长度为bμm,且0.5<a:b≤1。 |
所属类别: |
发明专利 |