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原文传递纳米级气敏传感器的形成方法

专利名称：	纳米级气敏传感器的形成方法
摘要：	本申请提供一种纳米级气敏传感器的形成方法，包括：对第三气敏层进行回刻蚀，使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层；形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层；在第三介质层上形成掩膜，刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出衬底；侧向刻蚀去除位于第一气敏层下方的第一介质层，使得第一气敏层悬空；形成开口；在开口内填充第四介质层；侧向回刻蚀第三介质层和第一介质层，露出第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层；形成环包第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层的第一导电层。本申请的形成方法与集成电路工艺兼容。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江西;36
申请人：	江西师范大学
发明人：	杨勇;梁艳;俞挺;徐铿;崔澳;许科宏;卢勇治;杨用龙;袁彩雷
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201711127757.7
公开号：	CN107941861A
代理机构：	上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：	孙佳胤
分类号：	G01N27/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G;B;G01;B82;G01N;B82Y;G01N27;B82Y40;G01N27/12;B82Y40/00
申请人地址：	330022 江西省南昌市紫阳大道99号
主权项：	一种纳米级气敏传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成第一气敏层；在所述第一气敏层表面形成第二介质层；在所述第二介质层内形成暴露出第一气敏层的沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁形成第一隔离层；在第一隔离层表面形成填充满沟槽且与第二介质层齐平的加热层；在加热层和第一隔离层表面形成第二隔离层，所述第一隔离层和第二隔离层构成环绕加热层的电隔离层；形成覆盖第二介质层和第二隔离层的第二气敏层；在第二气敏层表面形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形与电隔离层对应，以所述第一光刻胶图形为掩膜，刻蚀第二气敏层、第二介质层和第一气敏层，直至暴露出第一介质层；去除第一光刻胶图形；在第二气敏层和第一介质层上沉积第三气敏层；对第三气敏层进行回刻蚀，使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层；形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层；在第三介质层上形成掩膜，刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出衬底；侧向刻蚀去除位于第一气敏层下方的第一介质层，使得第一气敏层悬空；沿加热层的长度方向回刻蚀部分长度的加热层，形成开口；在开口内填充第四介质层；侧向回刻蚀第三介质层和第一介质层，露出第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层；形成环包第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层的第一导电层；在第三介质层内形成暴露出加热层的通孔；在通孔侧壁形成阻挡层；在通孔内填充导电材料。
所属类别：	发明专利