专利名称: |
纳米级气敏传感器的形成方法 |
摘要: |
本申请提供一种纳米级气敏传感器的形成方法,包括:对第三气敏层进行回刻蚀,使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层;形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层;在第三介质层上形成掩膜,刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出衬底;侧向刻蚀去除位于第一气敏层下方的第一介质层,使得第一气敏层悬空;形成开口;在开口内填充第四介质层;侧向回刻蚀第三介质层和第一介质层,露出第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层;形成环包第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层的第一导电层。本申请的形成方法与集成电路工艺兼容。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
江西;36 |
申请人: |
江西师范大学 |
发明人: |
杨勇;梁艳;俞挺;徐铿;崔澳;许科宏;卢勇治;杨用龙;袁彩雷 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201711127757.7 |
公开号: |
CN107941861A |
代理机构: |
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 |
代理人: |
孙佳胤 |
分类号: |
G01N27/12(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G;B;G01;B82;G01N;B82Y;G01N27;B82Y40;G01N27/12;B82Y40/00 |
申请人地址: |
330022 江西省南昌市紫阳大道99号 |
主权项: |
一种纳米级气敏传感器的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底表面形成第一介质层;在所述第一介质层表面形成第一气敏层;在所述第一气敏层表面形成第二介质层;在所述第二介质层内形成暴露出第一气敏层的沟槽;在所述沟槽的底部和侧壁形成第一隔离层;在第一隔离层表面形成填充满沟槽且与第二介质层齐平的加热层;在加热层和第一隔离层表面形成第二隔离层,所述第一隔离层和第二隔离层构成环绕加热层的电隔离层;形成覆盖第二介质层和第二隔离层的第二气敏层;在第二气敏层表面形成第一光刻胶图形,所述第一光刻胶图形与电隔离层对应,以所述第一光刻胶图形为掩膜,刻蚀第二气敏层、第二介质层和第一气敏层,直至暴露出第一介质层;去除第一光刻胶图形;在第二气敏层和第一介质层上沉积第三气敏层;对第三气敏层进行回刻蚀,使得第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层环绕电隔离层;形成覆盖第一介质层、第二气敏层和第三气敏层的第三介质层;在第三介质层上形成掩膜,刻蚀第三介质层和第一介质层直至暴露出衬底;侧向刻蚀去除位于第一气敏层下方的第一介质层,使得第一气敏层悬空;沿加热层的长度方向回刻蚀部分长度的加热层,形成开口;在开口内填充第四介质层;侧向回刻蚀第三介质层和第一介质层,露出第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层;形成环包第一气敏层、第二气敏层和第三气敏层的第一导电层;在第三介质层内形成暴露出加热层的通孔;在通孔侧壁形成阻挡层;在通孔内填充导电材料。 |
所属类别: |
发明专利 |