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原文传递一种气敏传感器及其形成方法

专利名称：	一种气敏传感器及其形成方法
摘要：	公开了一种气敏传感器，包括：半导体衬底、位于所述半导体衬底上的绝缘层、位于所述绝缘层上的氧化锌，所述氧化锌作为气敏层，并且所述氧化锌的类型与半导体衬底不同。本发明制成氧化锌/绝缘层/半导体衬底结构的气敏传感器，结构更简单，其中氧化锌作为气敏层，可以用半导体工艺制作，从而气敏传感器的制作方法与半导体工艺兼容。进一步的，氧化锌包含两层，其中顶层的第二氧化锌膜中形成有阵列排布的凹槽，这样可以增加氧化锌气敏层的比表面积，从而可以提高气敏传感器的灵敏度。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	浙江;33
申请人：	中芯集成电路（宁波）有限公司
发明人：	陈达;罗海龙;叶菲
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810432279.9
公开号：	CN108918599A
代理机构：	北京思创大成知识产权代理有限公司 11614
代理人：	张清芳
分类号：	G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12
申请人地址：	315803 浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢
主权项：	1.一种气敏传感器，其特征在于，包括：半导体衬底、位于所述半导体衬底上的绝缘层、位于所述绝缘层上的氧化锌，所述氧化锌作为气敏层，并且所述氧化锌的类型与半导体衬底不同。
所属类别：	发明专利