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一种半导体材料辐照损伤的表征方法
| 专利名称： | 一种半导体材料辐照损伤的表征方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体材料辐照损伤的表征方法，该方法包括：制备待测样品并测量生成第一磁化曲线；根据所述第一磁化曲线计算所述待测样品的第一缺陷数量；辐照所述待测样品并测量生成第二磁化曲线；根据所述第二磁化曲线计算经辐照后的所述待测样品的第二缺陷数量；根据所述第一缺陷数量和所述第二缺陷数量计算所述待测样品在辐照过程中产生的第三缺陷数量。在半导体材料中，初次碰撞产生的点缺陷(如空位)通常都是顺磁性的，且其磁滞回线满足布里渊函数，因此可以通过布里渊函数的拟合计算出顺磁性中心缺陷的数量，从而确定因小剂量辐照产生的缺陷数量。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 陕西;61 |
| 申请人： | 西安电子科技大学 |
| 发明人： | 王雨田;郭辉;药幸楠;张晨旭;韩超;张玉明 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810042823.9 |
| 公开号： | CN108414613A |
| 代理机构： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 |
| 代理人： | 刘长春 |
| 分类号： | G01N27/82(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/82 |
| 申请人地址： | 710071 陕西省西安市太白南路2号 |
| 主权项： | 1.一种半导体材料辐照损伤的表征方法，其特征在于，包括：制备待测样品并测量生成第一磁化曲线；根据所述第一磁化曲线计算所述待测样品的第一缺陷数量；辐照所述待测样品并测量生成第二磁化曲线；根据所述第二磁化曲线计算经辐照后的所述待测样品的第二缺陷数量；根据所述第一缺陷数量和所述第二缺陷数量计算所述待测样品在辐照过程中产生的第三缺陷数量。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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