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原文传递半导体材料切割方法

专利名称：	半导体材料切割方法
摘要：	本发明提供一种能够在执行切割过程之前通过使用清洗喷嘴较快速地执行冷却半导体材料的过程的半导体材料切割方法。因此，在冷却半导体材料的过程中形成类似于切割半导体材料的过程期间的切割水喷洒环境的环境，使得可预收缩半导体材料。另外，在方法中，由于在半导体材料处于冷却和接触状态时对准半导体材料的计划分割线的位置，因此在半导体材料的计划分割线与实际分割线的位置之间不存在未对准的情况下提高切割质量。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	韩国;KR
申请人：	韩美半导体有限公司
发明人：	林栽瑛
专利状态：	有效
申请日期：	2022-07-11T00:00:00+0800
发布日期：	2023-01-17T00:00:00+0800
申请号：	CN202210808290.7
公开号：	CN115609773A
代理机构：	北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人：	刘阳;黄健
分类号：	B28D5/04;B28D7/02;B28D7/04;B28D7/00;H01L21/67;B;H;B28;H01;B28D;H01L;B28D5;B28D7;H01L21;B28D5/04;B28D7/02;B28D7/04;B28D7/00;H01L21/67
申请人地址：	韩国仁川广域市西区佳佐路30便道14
主权项：	1.一种半导体材料切割装置的半导体材料切割方法，所述装置包括：一对卡盘工作台，配置成将半导体材料真空吸附在其每一上部部分上且设置为使得所述一对卡盘工作台能在Y轴方向上移动且为可旋转的；条带拾取器，配置成将所述半导体材料传送到所述卡盘工作台；切割单元，配置成在将切割水喷洒在吸附在所述一对卡盘工作台中的每一者上的所述半导体材料的上部表面上时切割所述半导体材料；以及清洗喷嘴，设置在所述一对卡盘工作台的移动路径的上部部分上，所述方法包括： A过程：由所述条带拾取器将所述半导体材料传送到所述一对卡盘工作台当中的所述卡盘工作台中的任一者的所述上部部分； B过程：由视觉检查单元通过对传送到所述卡盘工作台中的所述任一者的所述半导体材料进行成像来检测计划分割线，且接着由所述切割单元沿着所检测计划分割线切割所述半导体材料； C过程：在执行所述B过程期间，由所述条带拾取器将另一半导体材料传送到所述一对卡盘工作台当中的另一剩余卡盘工作台的所述上部部分，且接着通过将所述另一剩余卡盘工作台移动到所述清洗喷嘴的下部部分，将清洗水喷洒在真空吸附到所述另一剩余卡盘工作台的所述上部部分的所述另一半导体材料的上部表面上来冷却所述另一半导体材料，且接着通过将空气喷洒在冷却的所述另一半导体材料的所述上部表面上来去除所述另一半导体材料的水分；以及 D过程：由所述视觉检查单元通过对所述冷却的半导体材料进行成像来检测所述计划分割线，且接着由所述切割单元沿着所检测计划分割线切割所述冷却的半导体材料。 2.根据权利要求1所述的半导体材料切割装置的半导体材料切割方法，其中在执行所述B过程之前，所述方法还包括： B0过程：通过将所述卡盘工作台中的所述任一者移动到所述清洗喷嘴的所述下部部分，将清洗水喷洒到真空吸附在所述一对卡盘工作台当中的所述卡盘工作台中的任一者的所述上部部分上的所述半导体材料的所述上部表面来冷却所述半导体材料，且接着通过将空气喷洒在所述冷却的半导体材料的所述上部表面上来去除所述半导体材料上的水分。 3.根据权利要求2所述的半导体材料切割装置的半导体材料切割方法，其中在所述B0过程或所述C过程中，所述方法还包括：在去除水分之前或在去除水分之后，通过使用温度传感器测量通过喷洒清洗水冷却的所述半导体材料的温度的测量过程，其中当所述测量温度达到预定温度范围时执行所述B过程或所述D过程，且当所述测量温度未达到所述预定温度范围时，另外将清洗水喷洒在所述半导体材料的所述上部表面上。 4.根据权利要求1所述的半导体材料切割装置的半导体材料切割方法，其中在执行所述A过程之前，所述方法还包括： A01过程：根据所述半导体材料的类型与所述半导体材料的温度变化准备清洗水喷洒时间或清洗水喷洒频率之间的相关数据；以及 A02过程：基于所述相关数据设定所述清洗水喷洒时间或所述清洗水喷洒频率，使得将被切割的所述半导体材料冷却到预定温度，其中，在所述C过程中，以所述A02过程中设定的所述清洗水喷洒时间或所述清洗水喷洒频率将清洗水喷洒到所述半导体材料的所述上部表面。 5.根据权利要求4所述的半导体材料切割装置的半导体材料切割方法，其中在所述A02过程中，所述方法还包括：将在将被切割的所述半导体材料当中将第一被切割的所述半导体材料选择为参考材料且接着测量所述参考材料的温度的过程，其中基于所述测量温度将用于将所述半导体材料冷却到预定温度的所述清洗水喷洒时间或所述清洗水喷洒频率设定为将被切割的所述半导体材料的参考值。