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原文传递半导体衬底切割系统及相关方法

专利名称：	半导体衬底切割系统及相关方法
摘要：	本发明题为“半导体衬底切割系统和相关方法”。本发明提供了一种减薄半导体衬底，该减薄半导体衬底的方法的实施方式可以包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述半导体衬底具有在所述第一表面与所述第二表面之间的厚度。所述方法还可以包括：在向所述厚度中的第一深度处将损伤引入所述半导体衬底的一部分中以形成第一损伤层；在向所述厚度中的第二深度处将损伤引入所述半导体衬底的一部分中以形成第二损伤层；以及将超声能量施加到所述半导体衬底。所述方法可以包括沿着所述第一损伤层以及沿着所述第二损伤层跨所述厚度将所述半导体衬底分成三个单独的减薄的部分。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	美国;US
申请人：	半导体元件工业有限责任公司
发明人：	M·J·塞登;T·内耶尔;F·阿勒斯坦姆
专利状态：	有效
申请日期：	2019-05-17T00:00:00+0800
发布日期：	2019-12-17T00:00:00+0800
申请号：	CN201910411928.1
公开号：	CN110576521A
代理机构：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：	刘倜
分类号：	B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	美国亚利桑那
所属类别：	发明专利