详情

原文传递半导体光电器件衬底减薄方法

专利名称：	半导体光电器件衬底减薄方法
摘要：	本发明提供一种衬底减薄方法，包括：将衬底(302)置于摆放平台(303)上的衬底模拟图形(305)中；将固定有单面膜的支撑框架(301)与摆放平台(303)嵌套重合，使得衬底(302)粘贴在单面膜上，其中，单面膜的粘性面与衬底(302)的外延层面接触；将粘贴有衬底(302)的支撑框架(301)固定在切削机床的微孔吸盘上；利用切削机床沿衬底(302)的解理边晶向对衬底进行切削，以减薄衬底(302)。该方法具有操作简单、耗材较少、污染少及处理方便等优点，提高器件产品性能和良率，能够同时对多片衬底进行加工，适用于各种异形衬底，加工效率大幅提升，加工的衬底表面具有最小的表面损伤和理想的表面粗糙度，保证器件的性能和芯片成品率。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	中国科学院半导体研究所
发明人：	李伟;刘素平;马骁宇
专利状态：	有效
申请日期：	2019-01-21T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-17T00:00:00+0800
申请号：	CN201910057252.0
公开号：	CN109760220A
代理机构：	中科专利商标代理有限责任公司
代理人：	周天宇
分类号：	B28D5/02(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	100083 北京市海淀区清华东路甲35号
主权项：	1.一种衬底减薄方法，其特征在于，包括： S1，将衬底(302)置于摆放平台(303)上的衬底模拟图形(305)中； S2，将固定有单面膜的支撑框架(301)与所述摆放平台(303)嵌套重合，使得所述衬底(302)粘贴在所述单面膜上，其中，所述单面膜的粘性面与所述衬底(302)的外延层面接触； S3，将粘贴有衬底(302)的支撑框架(301)固定在切削机床的微孔吸盘上； S4，利用所述切削机床沿所述衬底(302)的解理边晶向对所述衬底(302)进行切削，以减薄所述衬底(302)。 2.根据权利要求1所述的衬底减薄方法，其特征在于，对所述衬底(302)进行切削包括第一切削和第二切削；以进给量为15～20mm/min，单次切削深度为10～20μm的切削方式对所述衬底(302)进行第一切削；对所述切削机床及衬底(302)表面进行清洗；以进给量由10mm/min递减至2mm/min，单次切削深度由5μm递减至0.5μm的切削方式对所述衬底(302)进行第二切削。 3.根据权利要求1所述的衬底减薄方法，其特征在于，所述摆放平台(303)标有参考晶向(202)，将衬底(302)置于摆放平台(303)的衬底模拟图形(305)中包括：将所述衬底(302)的解理面晶向与所述参考晶向(202)对齐。 4.根据权利要求1所述的衬底减薄方法，其特征在于，将固定有单面膜的支撑框架(301)与所述摆放平台(303)嵌套重合包括：采用平整设备(304)从所述单面膜的一层向另一侧施压以排出所述单面膜与所述衬底(302)之间的空气。 5.根据权利要求1所述的衬底减薄方法，其特征在于，所述切削机床包括刀具(101)及主轴(102)，对所述衬底(302)进行切削包括：所述刀具(101)以所述主轴(102)为轴心做旋转切削，所述主轴(102)同时沿平行所述衬底(302)表面方向移动，所述支撑框架(301)随吸盘沿垂直于衬底(302)表面方向移动。 6.根据权利要求5所述的衬底减薄方法，其特征在于，所述主轴(102)的转速为1000～2000rpm。 7.根据权利要求2所述的衬底减薄方法，其特征在于，所述进给量由10mm/min递减至2mm/min的变化方式为线性或抛物线型。 8.根据权利要求1所述的衬底减薄方法，其特征在于，在所述操作S4之后还包括： S5，对粘贴有切削后衬底的单面膜加热，取下所述切削后衬底，并对所述切削后衬底进行清洗。 9.根据权利要求8所述的衬底减薄方法，其特征在于，所述对所述切削后衬底进行清洗包括：将所述切削后衬底依次置于水浴加热的中三氯甲烷、丙酮、异丙醇溶液中清洗后吹干。 10.根据权利要求1所述的衬底减薄方法，其特征在于，所述衬底(302)可为标准晶圆衬底或异形衬底。
所属类别：	发明专利