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原文传递晶圆减薄方法

专利名称：	晶圆减薄方法
摘要：	本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆减薄方法。所述晶圆减薄方法包括如下步骤：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一键合面以及与所述第一键合面相对的第一背面，所述第一键合面与第二晶圆键合；采用一切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆，以减薄所述第一晶圆至预设厚度。本发明操作简单，能够极大的缩短减薄时间，而且减少了资源的浪费；另外，能够提高减薄后的晶圆表面的平整度。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	浙江;33
申请人：	芯盟科技有限公司
发明人：	余兴
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-23T00:00:00+0800
发布日期：	2019-11-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201910665718.5
公开号：	CN110394910A
代理机构：	上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：	孙佳胤;陈丽丽
分类号：	B28D5/04(2006.01);B;B28;B28D;B28D5
申请人地址：	314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室
主权项：	1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一键合面以及与所述第一键合面相对的第一背面，所述第一键合面与第二晶圆键合；采用一切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆，以减薄所述第一晶圆至预设厚度。 2.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，采用一切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆的具体步骤包括：固定一线锯于所述第一晶圆外部，所述线锯包括所述切割线以及用于承载所述切割线的基座；保持所述切割线与所述第一晶圆相对运动，使得所述切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆。 3.根据权利要求2所述的晶圆减薄方法，其特征在于，采用一切割线沿平行于所述第一键合面的方向切割所述第一晶圆之前，还包括如下步骤：沿所述第一晶圆的轴向方向，分别向所述第一晶圆和所述第二晶圆施加压力，以固定所述第一晶圆和所述第二晶圆。 4.根据权利要求3所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述第二晶圆包括与所述第一键合面键合的第二键合面以及与所述第二键合面相对的第二背面；分别向所述第一晶圆和所述第二晶圆施加压力的具体步骤包括：采用第一吸盘吸附所述第一背面并向所述第一晶圆施加第一压力、同时采用第二吸盘吸附所述第二背面并向所述第二晶圆施加第二压力。 5.根据权利要求4所述的晶圆减薄方法，其特征在于，保持所述切割线与所述第一晶圆相对运动的具体步骤包括：驱动所述第一吸盘与所述第二吸盘同步自转，并同时驱动所述第一吸盘和所述第二吸盘沿平行于所述第一键合面的方向平移。 6.根据权利要求4所述的晶圆减薄方法，其特征在于，保持所述切割线与所述第一晶圆相对运动的具体步骤包括：驱动所述第一吸盘与所述第二吸盘同步自转，并同时驱动所述基座沿平行于所述第一键合面的方向平移。 7.根据权利要求4所述的晶圆减薄方法，其特征在于，保持所述切割线与所述第一晶圆相对运动的具体步骤包括：驱动所述切割线沿第一方向运动，并同时驱动所述基座沿第二方向平移，所述第一方向与所述第二方向均平行于所述第一键合面，且所述第一方向垂直于所述第二方向。 8.根据权利要求4所述的晶圆减薄方法，其特征在于，保持所述切割线与所述第一晶圆相对运动的具体步骤包括：驱动所述切割线沿第一方向运动，并同时驱动所述第一吸盘和所述第二吸盘同步沿所述第二方向平移，所述第一方向与所述第二方向均平行于所述第一键合面，且所述第一方向垂直于所述第二方向。 9.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述切割线为直线型或环型。 10.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述切割线为直线型，且所述切割线的长度大于所述第一晶圆的直径。
所属类别：	发明专利