专利名称: |
晶圆加工方法 |
摘要: |
本发明提供了一种晶圆加工方法,涉及晶圆加工技术领域,本发明提供的晶圆加工方法包括:掏圆加工以获得圆柱物料;铣磨加工以使圆柱物料的端面平整,且端面垂直于圆柱物料的轴线;改圆加工,以圆柱物料的端面为定位基准面,绕圆柱物料的轴线修正圆柱物料的圆周面;切割圆柱物料以获得晶片。本发明提供的晶圆加工方法缓解了现有技术中晶圆加工良品率较低的技术问题。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
浙江;33 |
申请人: |
浙江晶特光学科技有限公司 |
发明人: |
牟光远;杨超平;张启兴;李正华;钱赫特 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2019-06-17T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-08-16T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201910523988.2 |
公开号: |
CN110126106A |
代理机构: |
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) |
代理人: |
倪静 |
分类号: |
B28D5/00(2006.01);B;B28;B28D;B28D5 |
申请人地址: |
317700 浙江省台州市椒江区开发大道东段2198号研发大楼301室 |
主权项: |
1.一种晶圆加工方法,其特征在于,包括: 掏圆加工,以获得圆柱物料; 铣磨加工,以使所述圆柱物料的端面平整,且所述端面垂直于所述圆柱物料的轴线; 改圆加工,以所述圆柱物料的端面为定位基准面,绕所述圆柱物料的轴线修正所述圆柱物料的圆周面; 切割所述圆柱物料以获得晶片。 2.根据权利要求1所述的晶圆加工方法,其特征在于,所述掏圆加工的步骤包括: 将块料固定在机座的承载端面上,并在所述块料和所述承载端面之间垫设填充物; 切割所述块料以获得所述圆柱物料。 3.根据权利要求1所述的晶圆加工方法,其特征在于,所述晶圆加工方法还包括: 精雕所述晶片,以使所述晶片的圆周面边缘形成倒角。 4.根据权利要求3所述的晶圆加工方法,其特征在于,在所述精雕所述晶片的步骤后,打磨所述晶片的端面。 5.根据权利要求4所述的晶圆加工方法,其特征在于,所述打磨所述晶片的端面的步骤包括: 将所述晶片置于上研磨盘和下研磨盘之间,使所述上研磨盘和所述下研磨盘分别绕所述晶片的轴线差速旋转; 将抛光剂冷却至预设温度,并将所述抛光剂浇淋至所述上研磨盘和下研磨盘之间。 6.根据权利要求4所述的晶圆加工方法,其特征在于,所述晶圆加工方法还包括检测所述晶片的总厚度偏差; 若所述总厚度偏差大于等于0.5μm,则继续打磨所述晶片的端面。 7.根据权利要求6所述的晶圆加工方法,其特征在于,所述打磨所述晶片的端面的步骤包括: 绕所述晶片的轴线旋转所述晶片,和/或,翻转对调所述晶片的端面。 8.根据权利要求1所述的晶圆加工方法,其特征在于,所述晶圆加工方法还包括: 碱性清洗剂浸泡清洗所述晶片; 纯水清洗所述晶片; 干燥处理所述晶片。 9.根据权利要求1所述的晶圆加工方法,其特征在于,所述切割圆柱物料的步骤包括: 线切割所述圆柱物料; 其中,走丝速度范围为600m/min~700m/min,丝线张力范围为28N~30N,摇动角度0~3deg,摇动速率100deg~120deg。 10.根据权利要求1所述的晶圆加工方法,其特征在于,所述晶圆加工方法以折射率范围为1.7~2.1的光学玻璃为原料。 |
所属类别: |
发明专利 |