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监控用于集成无源器件的半导体衬底测试结构和测试方法
| 专利名称： | 监控用于集成无源器件的半导体衬底测试结构和测试方法 |
| 摘要： | 本发明提供了一种监控用于集成无源器件的半导体衬底测试结构和测试方法。根据本发明的监控用于集成无源器件的半导体衬底的测试结构包括：分别连接至电感电容电阻测试仪的两端的所述半导体衬底上的半导体电路的顶层金属层中的相隔特定距离的第一金属线与第二金属线，其中在所述电感电容电阻测试仪的一端加测试信号来获取C-V曲线，并且通过所述C-V曲线判断半导体衬底的掺杂浓度。根据该监控用于集成无源器件的半导体衬底的测试结构，C-V曲线反应了金属-氧化物-衬底电容器的特征，而金属-氧化物-衬底电容器的特征是随着半导体衬底掺杂浓度的变化而变化的，从而该C-V曲线反应了半导体衬底掺杂浓度。进而，可以通过半导体衬底掺杂浓度来判断半导体衬底的电阻率的变化。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 发明人： | 韦敏侠;黎坡;唐莉;孔蔚然;许丹 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-11-02T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110342181.2 |
| 公开号： | CN102509725A |
| 代理机构： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
| 代理人： | 郑玮 |
| 分类号： | H01L23/544(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 |
| 主权项： | 一种监控用于集成无源器件的半导体衬底测试结构，其特征在于包括：分别连接至电感电容电阻测试仪的两端的所述半导体衬底上的半导体电路的顶层金属层中的相隔特定距离的第一金属线与第二金属线，其中在所述电感电容电阻测试仪的一端加测试信号来获取C?V曲线，并且通过所述C?V曲线判断半导体衬底的掺杂浓度。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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