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原文传递用于检测半导体器件键合强度的测试装置及测试方法

专利名称：	用于检测半导体器件键合强度的测试装置及测试方法
摘要：	本发明公开了一种用于检测半导体器件键合强度的测试装置，涉及半导体检测技术领域，解决了现有技术半导体器件键合强度测试装置容易出现测量失败的问题，其技术要点是：包括安装板，安装板上固定安装有复合悬臂梁，安装板在复合悬臂梁的自由端上部固定安装有用于测量自由端位移变化量的位移传感器；本发明通过固定在安装板上用于检测复合悬臂梁自由端位置的位移传感器，在测试刀具割裂半导体材料层的过程中，实时检测测试刀具的位置，保证了测试刀具不会产生过度穿透和穿透不够的问题，从而避免了测试失败的结果。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	广东;44
申请人：	深圳市德瑞茵精密科技有限公司
发明人：	宾伟雄
专利状态：	有效
申请日期：	2019-04-17T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-25T00:00:00+0800
申请号：	CN201910310169.X
公开号：	CN109932315A
代理机构：	北京久维律师事务所
代理人：	邢江峰
分类号：	G01N19/04(2006.01);G;G01;G01N;G01N19
申请人地址：	518000 广东省深圳市南山区招商街道南海大道以西美年国际广场1栋6层604-33
主权项：	1.一种半导体器件键合强度测试方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将待测样件(7)固定到位于测试装置下方的样品载台(8)上； S2、启动测试装置的驱动设备，使得测试装置沿Z轴移动，通过安装在测试装置上的接触传感器(4)检测测试装置上的测试刀具(6)是否到达待测样件(7)的半导体材料层(9)处，当测试刀具(6)到达半导体材料层(9)处后，测试装置继续移动直至接触传感器(4)的检测值达到预设压力值，测试装置停止位移，记录此时测试刀具(6)的位置； S3、控制测试刀具(6)和待测样品(7)产生相对位移，使得测试刀具(6)割破半导体材料层(9)表面的保护层，从而使得测试刀具(6)的刀刃穿越保护层，同时割破过程中实时检测测试刀具(6)的刀刃刃尖的割破深度，割破深度达到预设值H1时，固定测试刀具(6)在测试装置上的位置； S3、控制测试装置沿Z轴上移一个设定距离H2； S4、控制样品载台(8)或测试装置，使得测试刀具(6)的刀刃相对于半导体材料层(9)水平移动，使测试刀具(6)的刀刃正面剪切检测点(10)，完成键合点强度测试。 2.根据权利要求1所述的半导体器件键合强度测试方法，其特征在于，S3中，H1为半导体材料保护层厚度。 3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，S5中，H2为设定的焊点强度测试的测试高度参数。 4.根据权利要求1-3任一所述的半导体器件键合强度测试方法，其特征在于，S3中，测试刀具(6)和待测样品(7)产生相对位移的方法为控制待测样品(7)移动或使测试刀具(6)产生振动。 5.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，包括安装板(1)，安装板(1)上固定安装有复合悬臂梁(2)，复合悬臂梁(2)的自由端和安装板(1)之间设有采用空气轴承和滑块的微动机构(6)，复合悬臂梁(2)的自由端上固定连接有推力传感器(5)，推力传感器(5)下方固定连接有测试刀具(6)，安装板(1)在复合悬臂梁(2)的自由端上部固定安装有用于测量自由端位移变化量的位移传感器(11)，复合悬臂梁(2)的自由端和固定端之间固定连接有用于检测刀具下压力的接触传感器(4)。 6.根据权利要求5所述的用于检测半导体器件键合强度的测试装置，其特征在于，位移传感器(11)测试精度小于等于1um。 7.根据权利要求6所述的用于检测半导体器件键合强度的测试装置，其特征在于，位移传感器(11)为LVDT微位移传感器。 8.根据权利要求6所述的用于检测半导体器件键合强度的测试装置，其特征在于，位移传感器(11)为线性光栅尺。 9.根据权利要求5-8任一所述的用于检测半导体器件键合强度的测试装置，其特征在于，接触传感器(4)包括压电式压力传感器和压感式压力传感器。
所属类别：	发明专利