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原文传递一种检测键合晶圆键合强度的方法和系统

专利名称：	一种检测键合晶圆键合强度的方法和系统
摘要：	本发明提供了一种检测键合晶圆键合强度的方法和系统，所述键合晶圆包括第一晶圆和第二晶圆，所述方法包括：检测键合之前所述第一晶圆的表面电荷，得到第一电荷量；检测键合之后所述第一晶圆的表面电荷，得到第二电荷量；计算所述第二电荷量与所述第一电荷量的差值，并判断所述第二电荷量与所述第一电荷量的差值是否在第一预设范围内；若是，则判定所述键合晶圆的键合强度合格；若否，则判定所述键合晶圆的键合强度不合格。本发明提供的检测键合晶圆键合强度的方法和系统，不仅能够检测键合晶圆的键合强度，而且不会对键合晶圆的结构造成破坏，从而可以降低键合晶圆的键合强度检测成本。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	湖北;42
申请人：	武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人：	熊星星
专利状态：	有效
申请日期：	2019-05-10T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-09T00:00:00+0800
申请号：	CN201910388275.X
公开号：	CN110108776A
代理机构：	北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：	王宝筠
分类号：	G01N27/60(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
主权项：	1.一种检测键合晶圆键合强度的方法，所述键合晶圆包括第一晶圆和第二晶圆，其特征在于，所述方法包括：检测键合之前所述第一晶圆的表面电荷，得到第一电荷量；检测键合之后所述第一晶圆的表面电荷，得到第二电荷量；计算所述第二电荷量与所述第一电荷量的差值，并判断所述第二电荷量与所述第一电荷量的差值是否在第一预设范围内；若是，则判定所述键合晶圆的键合强度合格；若否，则判定所述键合晶圆的键合强度不合格。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，判定所述键合晶圆的键合强度合格之前，还包括：计算第四电荷量与第三电荷量的差值，并判断所述第四电荷量与所述第三电荷量的差值是否在第二预设范围内，所述第三电荷量为所述第二晶圆在键合之前测得的表面电荷量，所述第四电荷量为所述第二晶圆在键合之后测得的表面电荷量；若是，则判定所述键合晶圆的键合强度合格；若否，则判定所述键合晶圆的键合强度不合格。 3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一晶圆为器件晶圆，所述第二晶圆为承载晶圆。 4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一晶圆为承载晶圆，所述第二晶圆为器件晶圆。 5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一预设范围为3×106q/cm2～7×106q/cm2；所述第二预设范围为3×106q/cm2～7×106q/cm2。 6.一种检测键合晶圆键合强度的系统，所述键合晶圆包括第一晶圆和第二晶圆，其特征在于，所述系统包括：检测模块，用于检测键合之前所述第一晶圆的表面电荷，得到第一电荷量，检测键合之后所述第一晶圆的表面电荷，得到第二电荷量；处理模块，用于计算所述第二电荷量与所述第一电荷量的差值，并判断所述第二电荷量与所述第一电荷量的差值是否在第一预设范围内，若是，则判定所述键合晶圆的键合强度合格，若否，则判定所述键合晶圆的键合强度不合格。 7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述检测模块还用于检测键合之前所述第二晶圆的表面电荷，得到第三电荷量，检测键合之后所述第二晶圆的表面电荷，得到第四电荷量；所述处理模块还用于计算第四电荷量与第三电荷量的差值，并判断所述第四电荷量与所述第三电荷量的差值是否在第二预设范围内，所述第三电荷量为所述第二晶圆在键合之前测得的表面电荷量，所述第四电荷量为所述第二晶圆在键合之后测得的表面电荷量；若是，则判定所述键合晶圆的键合强度合格；若否，则判定所述键合晶圆的键合强度不合格。 8.根据权利要求6或7所述的系统，其特征在于，所述第一晶圆为器件晶圆，所述第二晶圆为承载晶圆。 9.根据权利要求6或7所述的系统，其特征在于，所述第一晶圆为承载晶圆，所述第二晶圆为器件晶圆。 10.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述第一预设范围为3×106q/cm2～7×106q/cm2；所述第二预设范围为3×106q/cm2～7×106q/cm2。
所属类别：	发明专利