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弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法
| 专利名称： | 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法 |
| 摘要： | 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法，涉及透射电子显微镜。采用AB胶将两Si衬片粘附于键合样品背面作为分担研磨作用力的衬片，并采用AB胶将Si衬片粘附于键合截面的两端，对键合截面的两端进行固定使得研磨过程中剪切力和压力无法将键合界面撕裂，从而获得可用于离子减薄的截面样品。利用截面边缘束缚法将弱键合强度的截面采用Si衬片固定住，不仅可以避免在研磨过程中键合界面发生断裂，而且采用金刚石粉和砂纸联合对样品进行减薄抛光，能有效且快速的将样品截面减薄至小于30μm，这是一种简易、快速、低成本且成功率高的TEM截面制样新方法。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 福建;35 |
| 申请人： | 厦门大学 |
| 发明人： | 陈松岩;柯少颖;吴金庸;李成;黄巍 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810347004.5 |
| 公开号： | CN108731993A |
| 代理机构： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 |
| 代理人： | 马应森 |
| 分类号： | G01N1/28(2006.01)I;G01N1/32(2006.01)I;G01N1/34(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N1;G01N1/28;G01N1/32;G01N1/34 |
| 申请人地址： | 361005 福建省厦门市思明南路422号 |
| 主权项： | 1.弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1).初级样品的获得，具体方法如下：1)将键合好的脆性样品和Si衬片超声清洗，去除基底表面的颗粒和有机物；2)将步骤1)获得的Si衬片粘附于键合样品的背面；3)将步骤2)获得的样品加热固化；4)将步骤1)获得的Si衬片切割成与键合样品截面一样的尺寸，将Si衬片粘附于键合样品的截面；5)将步骤4)获得的样品加热固化；6)将步骤5)获得的固化好的样品切成长条形样品，作为初级样品；(2).样品的机械研磨，具体方法如下：7)将步骤6)获得的样品粘附于研磨台上；8)将步骤7)获得的样品初级减薄研磨；9)将步骤8)获得的样品表面研磨抛光；10)将研磨台加热并将样品的抛光面粘附于研磨台上；11)将步骤10)获得的样品初级减薄研磨；12)将步骤11)获得的样品研磨抛光；13)将铜环粘附于抛光后的样品表面，使得键合界面置于铜环内；14)加热研磨台熔化后取下铜环，清洗；15)将步骤14)清洗后获得的铜环放置于加热炉上加热干燥后即获得所需离子减薄样品的弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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