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原文传递一种暴露半导体衬底的方法

专利名称：	一种暴露半导体衬底的方法
摘要：	本发明涉及一种暴露半导体衬底的方法，该方法包括：提供半导体样品，所述半导体样品从下至上依次包括半导体衬底、氧化层和半导体多晶层；用化学溶液去除所述半导体衬底和半导体多晶层之间的氧化层；用多晶硅蚀刻液浸泡去除所述半导体多晶层，暴露出所述半导体衬底。本发明可避免损伤半导体衬底。
专利类型：	发明专利
申请人：	张家港意发功率半导体有限公司
发明人：	周炳;江秉闰;许新佳
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T00:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T10:00:00+0805
申请号：	CN201911350994.9
公开号：	CN110987577A
代理机构：	苏州国诚专利代理有限公司
代理人：	王丽
分类号：	G01N1/32;G;G01;G01N;G01N1;G01N1/32
申请人地址：	215600 江苏省苏州市张家港经济开发区(国泰北路1号留学生创业园)
主权项：	1.一种暴露半导体衬底的方法，其特征在于，该方法包括：提供半导体样品，所述半导体样品从下至上依次包括半导体衬底、氧化层和半导体多晶层；用化学溶液去除所述半导体衬底和半导体多晶层之间的氧化层；用多晶硅蚀刻液浸泡去除所述半导体多晶层，暴露出所述半导体衬底。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底，所述氧化层为二氧化硅层，所述半导体多晶层为多晶硅层。 3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体样品为电容元件或电阻元件。 4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述用化学溶液去除所述半导体衬底和半导体多晶层之间的氧化层包括：将所述半导体样品在所述化学溶液中浸泡8～20小时。
所属类别：	发明专利