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原文传递 暴露半导体衬底的方法和失效分析方法
专利名称: 暴露半导体衬底的方法和失效分析方法
摘要: 一种暴露半导体衬底的方法和失效分析方法,所述暴露半导体衬底的方法包括:提供半导体样品,所述半导体样品从下至上依次包括半导体衬底、氧化层和半导体多晶层;用化学溶液去除所述半导体衬底和半导体多晶层之间的氧化层,所述化学溶液为缓冲氧化蚀刻溶液或氢氟酸;用超声波振荡去除所述半导体多晶层,暴露出所述半导体衬底。所述暴露半导体衬底的方法和失效分析方法解决了现有技术逐层剥除半导体衬底上方的半导体多晶层和氧化层会损伤半导体衬底的问题。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 上海;31
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人: 陈险峰;李明
专利状态: 有效
申请日期: 2009-08-14T00:00:00+0800
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN200910056522.2
公开号: CN101996880A
代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人: 吴靖靓;李丽
分类号: H01L21/311(2006.01)I
申请人地址: 201203 上海市浦东新区张江路18号
主权项: 一种暴露半导体衬底的方法,其特征在于,包括:提供半导体样品,所述半导体样品从下至上依次包括半导体衬底、氧化层和半导体多晶层;用化学溶液去除所述半导体衬底和半导体多晶层之间的氧化层,所述化学溶液为缓冲氧化蚀刻溶液或氢氟酸;用超声波振荡去除所述半导体多晶层,暴露出所述半导体衬底。
所属类别: 发明专利
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