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原文传递半导体芯片的失效分析方法

专利名称：	半导体芯片的失效分析方法
摘要：	本发明公开了一种半导体芯片的失效分析方法，包括：切割半导体芯片制备具有横截面的样品；对样品的衡截面进行研磨抛光、水洗并干燥样品；配置化学染色液；将抛光好的样品放入所述化学染色液中进行染色处理；对染色处理后的样品进行清洗并干燥样品；将样品放置在扫描电镜中进行检查并进行显微摄影，进行失效分析。本发明在对样品进行研磨抛光之后，还采用化学染色液对样品表面进行化学处理，最后才使用扫描电子显微镜对掺杂物分布和结面轮廓进行二维描述，并且能够以较高的空间分辨率精确描绘掺杂剖面，从而可以对样品的失效节点进行详细而准确的分析。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	胜科纳米(苏州)有限公司
发明人：	华佑南;李兵海;李晓旻
专利状态：	有效
申请号：	CN201811067761.3
公开号：	CN109444193A
代理机构：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：	朱琳
分类号：	G01N23/2202(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23
申请人地址：	215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区09栋507
主权项：	1.一种半导体芯片的失效分析方法，其特征在于，包括：切割半导体芯片制备具有横截面的样品；对样品的衡截面进行研磨抛光、水洗并干燥样品；配置化学染色液；将抛光好的样品放入所述化学染色液中进行染色处理；对染色处理后的样品进行清洗并干燥样品；将样品放置在扫描电镜中进行检查并进行显微摄影，进行失效分析。
所属类别：	发明专利