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原文传递失效分析去层方法

专利名称：	失效分析去层方法
摘要：	本发明提供一种失效分析去层方法，包括：提供待分析芯片，并将待分析芯片正面朝上固定于一衬片上；于失效结构附近形成第一凹槽及两个第二凹槽，且第一凹槽与两个第二凹槽围成一目标区域以将失效结构处于其内；于目标区域涂上热熔胶；对通过上述步骤制备的样品进行研磨，且在第一凹槽附近出现梯度后，去除热熔胶并继续进行研磨；观察失效结构周围的研磨速率，并在待分析芯片边缘区域的研磨速率大于待分析芯片中心区域的研磨速率时，重复涂抹热熔胶并进行研磨，直至失效结构四周研磨速率均匀；在研磨露出金属层时，去除金属层。通过本发明解决了以现有的去层方法对样品进行研磨去层时易导致样品分层的问题。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海华力集成电路制造有限公司
发明人：	韩梅;曹茂庆;高金德
专利状态：	有效
申请日期：	2023-08-01T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-10T00:00:00+0800
申请号：	CN202310960527.8
公开号：	CN117030386A
代理机构：	上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：	刘昌荣
分类号：	G01N1/28;G01N21/95;G;G01;G01N;G01N1;G01N21;G01N1/28;G01N21/95
申请人地址：	201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
主权项：	1.一种失效分析去层方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1)提供待分析芯片，并将所述待分析芯片正面朝上固定于一衬片上，其中，所述待分析芯片具有失效结构，且所述失效结构位于所述待分析芯片的边缘区域，所述待分析芯片的正面为形成有器件结构的一面；步骤2)于所述失效结构附近形成第一凹槽及两个第二凹槽，且所述第一凹槽与两个所述第二凹槽围成一目标区域以将所述失效结构处于其内，其中，所述第一凹槽位于靠近所述待分析芯片中心区域的一侧，两个所述第二凹槽分别与所述第一凹槽的端点相交并延伸至所述待分析芯片的边；步骤3)于所述目标区域涂上热熔胶，所述热熔胶涂到所述失效结构所在位置的上方，且不覆盖所述第一凹槽；步骤4)对通过上述步骤制备的样品进行研磨，且在所述第一凹槽附近出现梯度后，去除所述热熔胶并继续进行研磨；步骤5)观察所述失效结构周围的研磨速率，并在所述待分析芯片边缘区域的研磨速率大于所述待分析芯片中心区域的研磨速率时，重复步骤3)与步骤4)，直至所述失效结构四周研磨速率均匀；步骤6)在研磨露出金属层时，去除所述金属层，其中，所述金属层位于所述失效结构的上方。 2.根据权利要求1所述的失效分析去层方法，其特征在于，在步骤1)中，将所述待分析芯片正面朝上固定于一所述衬片上的方法包括：于所述衬片表面涂抹AB胶，将所述待分析芯片正面朝上置于所述衬片中心，并高温固化AB胶。 3.根据权利要求1所述的失效分析去层方法，其特征在于，在步骤2)中，于所述失效结构附近形成所述第一凹槽及两个所述第二凹槽的方法包括：利用激光切割机对所述待分析芯片进行轰击。 4.根据权利要求1所述的失效分析去层方法，其特征在于，在执行步骤3)之前，所述方法包括对执行步骤2)后的所述待分析芯片进行清洗的步骤。 5.根据权利要求4所述的失效分析去层方法，其特征在于，在步骤3)中，于所述目标区域涂上所述热熔胶时，所述热熔胶被涂抹于所述目标区域附近的所述衬片上。 6.根据权利要求1所述的失效分析去层方法，其特征在于，在步骤4)中，利用丙酮清洗去除所述热熔胶。 7.根据权利要求1所述的失效分析去层方法，其特征在于，在步骤5)中，利用光学显微镜观察所述失效结构周围的研磨速率。 8.根据权利要求1所述的失效分析去层方法，其特征在于，在步骤6)中，利用硝酸去除所述金属层。 9.根据权利要求1～8任一项所述的失效分析去层方法，其特征在于，所述衬片包括晶圆片。 10.根据权利要求9所述的失效分析去层方法，其特征在于，所述待分析芯片的表层形成有氧化层及铝层，在执行步骤2)之前，所述方法还包括：去除所述氧化层及所述铝层的步骤。 11.根据权利要求10所述的失效分析去层方法，其特征在于，利用反应离子刻蚀机刻蚀去除所述氧化层；利用盐酸去除所述铝层。
所属类别：	发明专利