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原文传递对栅氧化层进行失效分析的方法

专利名称：	对栅氧化层进行失效分析的方法
摘要：	为了解决现有技术中失效晶片检测过程极为复杂、检测周期相对较长、容易产生失败检测结果、检测成本较高等一系列问题，本发明提供一种对栅氧化层进行失效分析的方法，包括：用热凝胶将失效晶片倒贴在基片上，所述失效晶片包括衬底及衬底上的栅氧化层；将所述失效晶片的衬底研磨至一定厚度或全部去除所述衬底；用碱性溶液浸泡所述晶片表面；对所述失效晶片进行观测，所述控制栅有损坏时，所述栅氧化层有缺陷；所述控制栅没有损坏时，所述栅氧化层完好。本发明的失效晶片检测方法简单、用时较短、不易失败、成本较低。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人：	孙静;钱峰
专利状态：	有效
申请日期：	2009-08-26T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN200910194616.6
公开号：	CN101996911A
代理机构：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：	屈蘅;李时云
分类号：	H01L21/66(2006.01)I
申请人地址：	201203 上海市张江路18号
主权项：	一种对栅氧化层进行失效分析的方法，包括：用热凝胶将失效晶片倒贴在基片上，所述失效晶片包括衬底及衬底上的栅氧化层；将所述失效晶片的衬底研磨至一定厚度或全部去除所述衬底；用碱性溶液浸泡所述晶片表面；对所述失效晶片进行观测，所述控制栅有损坏时，所述栅氧化层有缺陷；所述控制栅没有损坏时，所述栅氧化层完好。
所属类别：	发明专利