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原文传递一种失效分析定位方法

专利名称：	一种失效分析定位方法
摘要：	本发明公开了一种失效分析定位方法，其属于半导体领域的技术，包括：步骤S1，预先在所述重复性结构区域设置一目标区域；步骤S2，以所述目标区域为中心在所述被测芯片表面设置一点阵图形，所述点阵图形中的组成点的面积和所述组成点与所述目标区域之间的距离成正相关；步骤S3，对所述目标区域进行失效分析以定位所述目标区域中的失效点，在进行所述失效分析之前根据所述点阵图形定位所述目标区域。该技术方案的有益效果是：本发明能够减少抓取失效点的时间，以便快速的进行失效分析，提高了失效分析的效率，实现了对芯片上的重复性结构区域中的失效点的快速定位与分析。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海华力微电子有限公司
发明人：	翁浚婧;黄楚楚;李金;纪晓娜
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810619924.8
公开号：	CN108918552A
代理机构：	上海申新律师事务所 31272
代理人：	俞涤炯
分类号：	G01N21/956(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/956
申请人地址：	201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
主权项：	1.一种失效分析定位方法，其特征在于，适用于被测芯片的重复性结构区域，具体包括以下步骤：步骤S1，预先在所述重复性结构区域设置一目标区域；步骤S2，以所述目标区域为中心在所述被测芯片表面设置一点阵图形，所述点阵图形中的组成点的面积和所述组成点与所述目标区域之间的距离成正相关；步骤S3，对所述目标区域进行失效分析以定位所述目标区域中的失效点，在进行所述失效分析之前根据所述点阵图形定位所述目标区域。
所属类别：	发明专利