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原文传递低k介电材料的失效分析方法

专利名称：	低k介电材料的失效分析方法
摘要：	一种低k介电材料的失效分析方法，包括：对低k介电材料采用聚焦离子束定点切削与辅助电子束扫描进行薄膜样品制备；对薄膜样品进行透射电镜成像；根据所述透射电镜成像得到的材料形貌，进行失效判定。本发明使用特定参数条件的聚焦离子束定点切削与辅助电子束扫描制备低k介电材料的薄膜样品，并通过透射电镜TEM成像获得样品形貌，根据样品形貌进行失效判定，因此本发明流程简单，经济有效易于实现，且判定准确直观。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人：	杨卫明;芮志贤;段淑卿;王玉科;郭强
专利状态：	有效
申请日期：	2009-08-06T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN200910056016.3
公开号：	CN101988909A
代理机构：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：	李丽
分类号：	G01N23/04(2006.01)I
申请人地址：	201203 上海市浦东新区张江路18号
主权项：	一种低k介电材料的失效分析方法，其特征在于，包括：对低k介电材料采用聚焦离子束定点切削与辅助电子束扫描进行薄膜样品制备；对薄膜样品进行透射电镜成像；根据所述透射电镜成像得到的材料形貌，进行失效判定。
所属类别：	发明专利